[发明专利]光电转换装置

说明书

在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。

技术领域

本发明涉及光电转换装置。

背景技术

日本特开2010－283406号公报中，公开了背面电极型太阳光电池。该背面电极型太阳光电池在单晶硅基板的背面形成有非晶硅层，在其之上，使用金属掩模交替地形成n型非晶质半导体层和p型非晶质半导体层。然后，使用金属掩模在n型非晶质半导体层和p型非晶质半导体层上分别形成电极。

发明内容

在日本特开2010－283406号公报中，在形成p型非晶质半导体层、n型非晶质半导体层以及电极时，硅基板的厚度越薄，由于p型非晶质半导体层、n型非晶质半导体层以及电极的应力，硅基板越翘曲、弯曲。尤其是电极与p型非晶质半导体层及n型非晶质半导体层相比应力大，因此由电极的应力造成的影响大。

本发明的目的在于，提供即使在使用厚度薄的半导体基板的情况下，也能够减轻电极的应力，抑制半导体基板的翘曲、弯曲的光电转换装置。

本发明所涉及的光电转换装置包括：半导体基板；第一非晶质半导体部，其形成于所述半导体基板的一个面侧，形成有至少一个第一非晶质半导体层，所述第一非晶质半导体层具有第一导电类型；第二非晶质半导体部，其形成于所述半导体基板的所述一个面侧，且在所述半导体基板的面内方向与所述第一非晶质半导体部相邻地形成，形成有至少一个第二非晶质半导体层，所述第二非晶质半导体层具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；多个第一电极，其相间隔地配置于所述第一非晶质半导体部之上；以及多个第二电极，其相间隔地配置于所述第二非晶质半导体部之上，在一个所述第一非晶质半导体层之上，配置有多个所述第一电极，在一个所述第二非晶质半导体层之上，配置有多个所述第二电极。

根据本发明，即使在使用厚度薄的半导体基板的情况下，也能够减轻电极的应力，抑制半导体基板的翘曲、弯曲。

附图说明

图1是表示第一实施方式所涉及的光电转换装置的平面的示意图。

图2是示出图1所示的光电转换装置的A－A截面的示意图。

图3A是例示出p型非晶质半导体层的截面构造的示意图。

图3B是例示出p型非晶质半导体层的其他截面构造的示意图。

图3C是例示出p型非晶质半导体层的其他截面构造的示意图。

图3D(a)是表示测量从i型非晶质半导体层与硅基板表面的界面到非晶质半导体层表面的膜厚的结果的示意图。图3D(b)是表示重新描绘图3D(a)所示的膜厚的结果的示意图。

图4是表示第一实施方式中的配线片的平面的示意图。

图5A(a)是示出测量对p型电极间的距离d1为300μm和500μm的光电转换装置照射激光而得到的电流的结果的图。图5A(b)是成为图5A(a)的测量对象的光电转换装置的截面图。

图5B是示出测量对距离d1为200μm～700μm之间的光电转换装置照射激光而得到的电流的结果的图。

图6A是说明图1所示的光电转换装置的制造工序的图，是在硅基板形成了纹理的状态的截面图。

图6B是示出在图6A所示的硅基板的受光面形成了抗反射膜的状态的截面图。