[发明专利]在预先图案化的底部电极和阻挡氧化层上制造铁电随机存取存储器的方法

摘要

描述了F‑RAM单元的结构和制造方法。F‑RAM单元包括形成在预先图案化的阻挡结构之上和形成有预先图案化的阻挡结构的铁电电容器，预先图案化的阻挡结构具有平坦化/化学和/或机械抛光的顶表面。预先图案化的阻挡结构包括具有在阻氧层上的底部电极层的结构的多个阻氧层。底部电极层形成在其上形成的铁电电容器的底部电极的至少一部分。

主权项

1.一种存储器器件，包括：阻挡层，其包括图案化的阻挡结构，所述图案化的阻挡结构包括布置在阻氧(O₂)层之上的第一电极层和至少一个第一阻氢结构，所述至少一个第一阻氢结构布置成与所述图案化的阻挡结构的至少一个侧壁接触，其中所述阻挡层包括暴露所述图案化的阻挡结构和所述至少一个第一阻氢结构的顶表面的平坦化顶表面；和图案化的铁电堆叠，其至少部分地布置在所述图案化的阻挡结构之上，其中所述图案化的铁电堆叠包括布置在铁电层之上的第二电极层，其中，所述图案化的阻挡结构的所述第一电极层、所述图案化的铁电堆叠的所述铁电层和第二电极层形成铁电电容器。