[发明专利]用于制造钛钨层中的特定终端角的方法在审
| 申请号： | 201680034688.2 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107683521A | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | N·江;M·布莱希科;N·S·德拉斯;B·E·古德林 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵志刚,赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在描述的示例中，一种形成钛钨层中的终端角的方法包括提供钛钨层(702)以及将光致抗蚀刻材料施加到钛钨层(704)。光致抗蚀刻材料在散焦条件下经暴露生成抗蚀刻掩膜(706)。暴露的光致抗蚀刻材料的边缘对应于倾斜终端。使用蚀刻材料蚀刻钛钨层。蚀刻材料至少部分地蚀刻在散焦条件下被暴露的光致抗蚀刻材料。蚀刻导致钛钨层中的倾斜终端(708)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 钛钨层 中的 特定 终端 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体中的钛钨层中的终端角的方法，所述方法包括：提供钛钨层；将光致抗蚀刻材料施加到所述钛钨层；在散焦条件下暴露所述光致抗蚀刻材料，以生成具有边缘部分的抗蚀刻掩膜；以及至少在所述抗蚀刻掩膜的所述边缘部分处蚀刻所述钛钨层，以产生所述钛钨层的倾斜终端。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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