[发明专利]用于制造钛钨层中的特定终端角的方法

说明书

背景技术

集成电路中的一些组件具有由若干层制造的组件，这些若干层包括钼(Mo)、钛钨(TiW)和氮化铝(AlN)。一个这种器件是体声波(BAW)器件，其具有由钼、钛钨和氮化铝的层制造的堆叠。氮化铝形成声学谐振器，其中钼层用作声学谐振器上的电触点或电极。钛钨层和氧化物形成在声学谐振器的每个侧面上以形成布拉格镜。

发明内容

在描述的示例中，一种形成钛钨层中的终端角(termination angle)的方法包括提供钛钨层以及将光刻胶/光致抗蚀刻(photo resist)材料施加到钛钨层。光致抗蚀刻材料在散焦(defocus)条件下经暴露生成抗蚀刻掩膜(resist mask)。暴露的光致抗蚀刻材料的边缘对应于倾斜终端。使用蚀刻材料蚀刻钛钨层。蚀刻材料至少部分地蚀刻在散焦条件下被暴露的光致抗蚀刻材料。蚀刻导致钛钨层中的倾斜终端。

附图说明

图1是基于氮化铝压电的体声波器件的侧向剖视图。

图2是图1的钼终端的扩展视图。

图3是图1的另一个钼终端的扩展视图。

图4是处于制造工艺中的器件的侧视图。

图5是在应用光刻步骤并且去除光致抗蚀刻层的残余部分之后的图4的器件的侧视图。

图6是蚀刻之后的图5的器件的视图。

图7是描述制造钛钨层的方法的流程图。

图8是基于氮化铝压电的(BAW)器件的示例，其类似于图1的器件，但是该基于氮化铝压电的(BAW)器件由多层制造而成，该多层包括按照图4-图7中描述的技术制造的钛钨层。

具体实施方式

本文中描述通过具有包括钛钨层的多层的堆叠制造在集成电路上的组件。在堆叠中具有钛钨层的传统的器件易于在钛钨层的终端处破裂和产生接缝。例如，在钛钨层以尖锐或陡峭的角度在堆叠中终止的情况下，具有钛钨层的器件易于破裂或产生接缝。尖锐的角度削弱了堆叠中的其它材料并且使得能够形成破裂，该破裂可能通过堆叠扩散。在一些情形下，尖锐的角度使得在堆叠中形成接缝或折叠，其也通过堆叠扩散。破裂和接缝都能够导致堆叠所位于的组件的故障。本文中描述的器件和方法减少钛钨层的终端处的角度，这降低了在堆叠中形成破裂或接缝的可能性。

利用具有多层的堆叠制造的组件的一个示例是体声波(BAW)器件。图1是由多层制造的基于氮化铝压电的(BAW)器件100的示例。BAW器件100可以是未被示出的较大集成电路的一部分。由层形成堆叠102，这导致增加接近BAW器件100所位于的区域。声学谐振器106形成在堆叠102内。在图1的示例中，谐振器106包括氮化铝(AlN)层110，氮化铝(AlN)层110夹在顶部电极112和底部电极114之间，顶部电极112可以由钼形成，底部电极也可以由钼形成。顶部电极110和底部电极112是在堆叠102内制造的层。本文中描述的层有时被称为膜。在图1的示例中，氧化物层116位于顶部电极112和AlN层110之间，并且用作谐振器106的温度补偿层。在一些实施例中，BAW器件100不包括氧化物层116。在顶部电极112和底部电极114之间的声波弹回以在谐振器10内谐振。

堆叠102包括上部布拉格镜120和下部布拉格镜122。布拉格镜120和122阻止能量从谐振器106逸散，并且用于实现其它谐振器规格。下部布拉格镜122通过交替的层或膜形成，在图1的示例中，该交替的层或膜为钛钨和氧化物的交替层。图1的下部布拉格镜122具有第一氧化物层130，该第一氧化物层130邻近底部电极114并且延伸BAW器件100的长度。第一钛钨层132位于第一氧化物层130和第二氧化物层134之间。第二氧化物层134，类似于第一氧化物层130，延伸BAW器件100的长度。第二钛钨层136位于第二氧化物134和第三氧化物层138之间。衬底(未示出)位于第三氧化物层138下方，并且是诸如硅的材料，其上制造有BAW器件100。第一钛钨层132和第二钛钨层136二者位于谐振器106下方，并且靠近谐振器106的边缘终止。在一些实施例中，氮化铝种子(seed)层(图1中未示出)位于第一氧化物层130和底部电极114之间。