[发明专利]半导体器件、力学量测量装置和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201680034237.9 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107683406B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 下川英惠;石原昌作;相马敦郎;小野塚准二;小贯洋;寺田大介;芝田瑞纪 | 申请（专利权）人： | 日立汽车系统株式会社 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;G01B7/16;H01L29/84 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件包括金属体、配置在金属体上的接合层和配置在接合层上的半导体芯片，接合层包括在金属体与半导体芯片之间形成的包含填料的第一层，和与第一层和半导体芯片接合的、热膨胀率大于第一层的第二层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 力学 测量 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：金属体；配置在所述金属体上的接合层；和配置在所述接合层上的半导体芯片，所述接合层包括形成在所述金属体与所述半导体芯片之间的包含填料的第一层，和与所述第一层和所述半导体芯片接合的、热膨胀率大于所述第一层的第二层。
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