[发明专利]半导体器件、力学量测量装置和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201680034237.9 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107683406B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 下川英惠;石原昌作;相马敦郎;小野塚准二;小贯洋;寺田大介;芝田瑞纪 | 申请（专利权）人： | 日立汽车系统株式会社 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;G01B7/16;H01L29/84 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 力学 测量 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
金属体；
配置在所述金属体上的接合层；和
配置在所述接合层上的半导体芯片，
所述接合层包括形成在所述金属体与所述半导体芯片之间的包含填料的第一层，和与所述第一层和所述半导体芯片接合的、热膨胀率大于所述第一层的第二层，
所述第二层的厚度为所述第一层的厚度的一半以下。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述第一层以比重大于所述填料的材料为主成分。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
在所述第一层的与所述第二层的界面一侧形成有因所述填料的突出而产生的凹凸，所述第二层填充在所述第一层的所述凹凸中。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述半导体芯片包括传感器元件。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括：
金属体；
配置在所述金属体上的接合层；和
配置在所述接合层上的半导体芯片，
所述接合层包括形成在所述金属体与所述半导体芯片之间的包含填料的第一层，和与所述第一层和所述半导体芯片接合的、热膨胀率大于所述第一层的第二层，
所述第一层和所述第二层的主成分是玻璃，
所述第二层的主成分是与所述第一层的主成分相比在较低的温度下熔融的玻璃。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：
所述第一层以比重大于所述填料的材料为主成分。
7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：
在所述第一层的与所述第二层的界面一侧形成有因所述填料的突出而产生的凹凸，所述第二层填充在所述第一层的所述凹凸中。
8.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：
所述半导体芯片包括传感器元件。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：
金属体；
配置在所述金属体上的接合层；和
配置在所述接合层上的半导体芯片，
所述接合层包括形成在所述金属体与所述半导体芯片之间的包含填料的第一层，和与所述第一层和所述半导体芯片接合的、热膨胀率大于所述第一层的第二层，
所述接合层在所述第一层与所述金属体之间具有热膨胀率大于所述第一层的第三层。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：
所述第一层以比重大于所述填料的材料为主成分。
11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：
在所述第一层的与所述第二层的界面一侧形成有因所述填料的突出而产生的凹凸，所述第二层填充在所述第一层的所述凹凸中。
12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：
所述半导体芯片包括传感器元件。
13.一种力学量测量装置，其特征在于：
具有权利要求1～12中任一项所述的半导体器件，所述半导体芯片包括应变检测部。
14.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
在金属体上形成包含填料的接合层的第一层的步骤；
在所述第一层上形成热膨胀率大于所述第一层且厚度为所述第一层的厚度的一半以下的所述接合层的第二层的步骤；和
在所述第二层上接合半导体芯片的步骤。
15.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
在金属体上形成主成分是玻璃且包含填料的接合层的第一层的步骤；
在所述第一层上形成主成分是与所述第一层的主成分相比在较低的温度下熔融的玻璃且热膨胀率大于所述第一层的所述接合层的第二层的步骤；和
在所述第二层上接合半导体芯片的步骤。
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