[发明专利]铌酸锂单晶基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201680033985.5 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107636212B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 梶谷富男 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B33/02;H01L41/187;H01L41/41 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种对温度、时间等处理条件的管理容易，且体积电阻率的面内分布极少的铌酸锂(LN)基板及其制造方法。上述制造方法是使用通过切克劳斯基法培育出的铌酸锂单晶来制造铌酸锂单晶基板的方法，其特征在于，将单晶中的Fe浓度为大于1000质量ppm且2000质量ppm以下并被加工成基板状态的铌酸锂单晶埋入Al粉末或者Al和Al |
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| 搜索关键词： | 铌酸锂单晶基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铌酸锂单晶基板，其特征在于，其是体积电阻率被控制在1×108Ω·cm以上且1×1010Ω·cm以下的范围的铌酸锂单晶基板，铌酸锂单晶中的Fe浓度为大于1000质量ppm且2000质量ppm以下。
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