[发明专利]铌酸锂单晶基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201680033985.5 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107636212B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 梶谷富男 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B33/02;H01L41/187;H01L41/41 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铌酸锂单晶基板 及其 制造 方法 | ||
1.一种铌酸锂单晶基板的制造方法，其使用通过切克劳斯基法培育出的铌酸锂单晶来制造铌酸锂单晶基板，其特征在于，
将单晶中的Fe浓度为大于1000质量ppm且2000质量ppm以下并被加工成基板状态的铌酸锂单晶埋入Al粉末或者Al和Al2O3的混合粉末中，在550℃以上且600℃以下的温度进行热处理，制造出体积电阻率被控制在1×108Ω·cm以上且1×1010Ω·cm以下的范围、并且铌酸锂单晶基板面内的体积电阻率的偏差(σ/Ave)低于3％的铌酸锂单晶基板，
在此，Ave是指在铌酸锂单晶基板的中心部的一个点和外周部四个点这面内的五个点测定的体积电阻率的平均值，σ是它们的标准偏差，体积电阻率是依据JIS K-6911的三端子法测定而得的值。
2.根据权利要求1所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，
所述被加工成基板状态的铌酸锂单晶表面的算数平均粗糙度Ra为0.2μm以上且0.4μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，在真空环境下或者非活性气体的减压环境下进行上述热处理。
4.根据权利要求1或2所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，将上述热处理进行1小时以上。
5.根据权利要求3所述的铌酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，将上述热处理进行1小时以上。
6.一种铌酸锂单晶基板，其特征在于，其是由权利要求1～5中任一项所述的铌酸锂单晶基板的制造方法制造的，其是体积电阻率被控制在1×108Ω`cm以上且1×1010Ω`cm以下的范围的铌酸锂单晶基板，
铌酸锂单晶中的Fe浓度为大于1000质量ppm且2000质量ppm以下，铌酸锂单晶基板面内的体积电阻率的偏差(σ/Ave)低于3％，
在此，Ave是指在铌酸锂单晶基板的中心部的一个点和外周部四个点这面内的五个点测定的体积电阻率的平均值，σ是它们的标准偏差，体积电阻率是依据JIS K-6911的三端子法测定而得的值。
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