[发明专利]掺杂硅晶片的方法

摘要

本发明提供了一种使用扩散炉(1)掺杂硅晶片(8)的方法，所述扩散炉(1)具有用于装载和卸载硅晶片(8)的门(2)、内部容积(6)、用于反应气体、掺杂气体和载气的气体入口(4)以及用于修改所述反应气体、所述掺杂气体和所述载气至扩散炉(1)的内部容积(6)中的流速的工具，所述方法包括下列步骤：将硅晶片(8)装载至扩散炉(1)中，至少在沉积时间中根据预定温度曲线加热扩散炉(1)，使反应气体、掺杂气体和载气同时流至内部容积(6)中并从扩散炉(1)卸载掺杂的硅晶片(8)，其中在反应气体、掺杂气体和载气同时流至扩散炉(1)的内部容积(6)中的沉积时间中，反应气体的流速与掺杂气体的流速之比从第一比率至第二比率改变至少一次和/或载气的流速从第一流速至第二流速改变至少一次。

主权项

使用扩散炉(1)掺杂硅晶片(8)的方法，所述扩散炉(1)具有用于装载和卸载所述硅晶片(8)的门(2)、内部容积(6)、用于反应气体、掺杂气体和载气的气体入口(4)以及用于改变所述反应气体、所述掺杂气体和所述载气至所述扩散炉(1)的所述内部容积(6)中的流速的工具，所述方法包括下列步骤：‑将硅晶片(8)装载到所述扩散炉(1)中，‑至少在沉积时间过程中根据预定温度曲线加热所述扩散炉(1)，‑使反应气体、掺杂气体和载气同时流到所述内部容积(6)中，以及‑从所述扩散炉(1)卸载掺杂的硅晶片(8)，其特征在于，在反应气体、掺杂气体和载气同时流到所述扩散炉(1)的所述内部容积(6)中的所述沉积时间过程中，反应气体的流速与掺杂气体的流速之比从第一比率至第二比率改变至少一次和/或所述载气的流速从第一流速至第二流速改变至少一次。