[发明专利]掺杂硅晶片的方法

权利要求书

1.使用扩散炉(1)掺杂硅晶片(8)的方法，所述扩散炉(1)具有用于装载和卸载所述硅晶片(8)的门(2)、内部容积(6)、用于反应气体、掺杂气体和载气的气体入口(4)以及用于改变所述反应气体、所述掺杂气体和所述载气至所述扩散炉(1)的所述内部容积(6)中的流速的工具，所述方法包括下列步骤：

-将硅晶片(8)装载到所述扩散炉(1)中，

-至少在沉积时间过程中根据预定温度曲线加热所述扩散炉(1)，

-使反应气体、掺杂气体和载气同时流到所述内部容积(6)中，以及

-从所述扩散炉(1)卸载掺杂的硅晶片(8)，

其特征在于，在反应气体、掺杂气体和载气同时流到所述扩散炉(1)的所述内部容积(6)中的所述沉积时间过程中，反应气体的流速与掺杂气体的流速之比从第一比率至第二比率改变至少一次，并且以这种方式选择所述第一比率或所述第二比率，使得在整个所述沉积时间应用时所述气体入口附近产生均匀掺杂的硅晶片，且以这种方式选择所述第二比率或所述第一比率，使得在整个所述沉积时间应用时在位于所述气体入口对面的所述内部容积(6)的区域中产生均匀掺杂的晶片；

和/或所述载气的流速从第一流速至第二流速改变至少一次，并且以这种方式选择所述第一流速或所述第二流速，使得在整个所述沉积时间内应用时在所述气体入口附近产生均匀掺杂的硅晶片(8)，且以这种方式选择所述第二流速或所述第一流速，使得在整个所述沉积时间内应用时在位于所述气体入口对面的所述内部容积(6)的区域中产生均匀掺杂的晶片。

2.根据权利要求1所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，所述方法还包括确定所述第一比率并确定所述第二比率的步骤，所述第一比率在整个所述沉积时间内应用时在所述气体入口附近产生均匀掺杂的晶片，所述第二比率在整个所述沉积时间内应用时在位于所述气体入口对面的所述内部容积(6)的区域中产生均匀掺杂的晶片。

3.根据权利要求1或2所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述沉积时间过程中将反应气体的流速与掺杂气体的流速之比改变到至少第三比率至少一次。

4.根据权利要求3所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，以这种方式选择所述第三比率，使得在整个所述沉积时间内应用时在所述扩散炉(1)的所述内部容积(6)的中心区域(6b)中产生均匀掺杂的晶片。

5.根据权利要求1所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，所述方法还包括确定所述第一流速并确定所述第二流速的步骤，所述第一流速在整个所述沉积时间内应用时在所述气体入口附近产生均匀掺杂的晶片，所述第二流速在整个所述沉积时间内应用时在位于所述气体入口对面的所述内部容积(6)的区域中产生均匀掺杂的晶片。

6.根据权利要求1或5所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述沉积时间过程中将所述载气的流速改变到至少第三流速至少一次。

7.根据权利要求6所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，以这种方式选择所述第三流速，使得在整个所述沉积时间内应用时在所述扩散炉(1)的所述内部容积(6)的中心区域(6b)中产生均匀掺杂的晶片。

8.根据权利要求1所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，在所述沉积时间过程中，所述比率之间的切换和/或所述载气的流速的切换发生数次，特别是循环地或反循环地发生。

9.根据权利要求1所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，反应气体的流速与掺杂气体的流速之比从第一比率至第二比率改变至少一次，且所述载气的流速从第一流速至第二流速改变至少一次，并且所述载气的流速的改变相对于所述比率之间的切换发生相移。

10.根据权利要求1所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，在所述比率之间的切换和/或在所述载气的流速之间的切换发生的频率小于每分钟一次。