[发明专利]存储器结构及其相关的交叉点存储器阵列、电子系统及形成存储器结构的方法有效
| 申请号： | 201680027659.3 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN107636833B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | S·E·西里斯;D·V·N·拉马斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;G11C5/02;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种存储器结构，其包括：第一导线，其在基底结构的部分上方沿第一方向延伸；存储元件结构，其在所述第一导线上方沿所述第一方向延伸；隔离电极结构，其覆于所述存储元件结构的部分上方；选择装置结构，其在所述隔离电极结构上方沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；第二导线，其在所述选择装置结构上方沿所述第二方向延伸；额外选择装置结构，其在所述第二导线上方沿所述第二方向延伸；额外隔离电极结构，其覆于所述额外选择装置结构的部分上方；额外存储元件结构，其在所述额外隔离电极结构上方沿所述第一方向延伸；及第三导线，其在所述额外存储元件结构上方沿所述第一方向延伸。还描述了交叉点存储器阵列、电子系统及相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 相关 交叉点 阵列 电子 系统 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器结构，其包括：第一导线，其在基底结构的部分上方沿第一方向延伸；存储元件结构，其在所述第一导线上方沿所述第一方向延伸；隔离电极结构，其覆于所述存储元件结构的部分上方；选择装置结构，其在所述隔离电极结构上方沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；第二导线，其在所述选择装置结构上方沿所述第二方向延伸；额外选择装置结构，其在所述第二导线上方沿所述第二方向延伸；额外隔离电极结构，其覆于所述额外选择装置结构的部分上方；额外存储元件结构，其在所述额外隔离电极结构上方沿所述第一方向延伸；及第三导线，其在所述额外存储元件结构上方沿所述第一方向延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
