[发明专利]存储器结构及其相关的交叉点存储器阵列、电子系统及形成存储器结构的方法

说明书

本发明揭示了一种存储器结构，其包括：第一导线，其在基底结构的部分上方沿第一方向延伸；存储元件结构，其在所述第一导线上方沿所述第一方向延伸；隔离电极结构，其覆于所述存储元件结构的部分上方；选择装置结构，其在所述隔离电极结构上方沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；第二导线，其在所述选择装置结构上方沿所述第二方向延伸；额外选择装置结构，其在所述第二导线上方沿所述第二方向延伸；额外隔离电极结构，其覆于所述额外选择装置结构的部分上方；额外存储元件结构，其在所述额外隔离电极结构上方沿所述第一方向延伸；及第三导线，其在所述额外存储元件结构上方沿所述第一方向延伸。还描述了交叉点存储器阵列、电子系统及相关方法。

优先权主张

本申请案主张名称为“存储器结构及其相关的交叉点存储器阵列、电子系统及形成存储器结构的方法(Memory Structures and Related Cross-Point Memory Arrays,Electronic Systems,and Methods of Forming Memory Structures)”的2015年5月14日申请的第14/712,241号美国专利申请案的申请日的权利。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体装置设计及制作的领域。更具体地说，本发明的实施例涉及存储器结构及其相关的交叉点存储器阵列、电子系统及形成存储器结构的方法。

背景技术

半导体装置设计者通常期望通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的间隔距离而提高半导体装置内的特征的集成度或密度。另外，半导体装置设计者通常期望设计不仅外观紧凑且提供性能优点以及精简设计的架构。

半导体装置的一个实例是存储器装置。存储器装置一般提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在诸多类型的存储器，其包含(但不限于)随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、快闪存储器及电阻可变存储器。电阻可变存储器的非限制性实例包含电阻随机存取存储器(RRAM)、导电桥随机存取存储器(导电桥RAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、相变材料(PCM)存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、自旋力矩转移随机存取存储器(STTRAM)、基于氧空位的存储器及可编程导体存储器。

一些存储器装置包含展现布置成交叉点架构的存储器单元的存储器阵列，所述交叉点架构包含垂直(例如，正交)于额外导线(例如数据线，例如位线)延伸的导线(例如存取线，例如字线)。存储器阵列可为二维(2D)的以展现存储器单元的单个层叠(例如单个层、单个层级)，或可为三维(3D)的以展现存储器单元的多个层叠(例如多个层级、多个层)。选择装置可用于选择3D存储器阵列的特定存储器单元。与存储器装置制作相关的挑战包含减小存储器装置的大小、增大存储器装置的存储密度及降低制作成本。

因此，需要新存储器结构(例如3D交叉点存储器阵列)以及电子系统(其包含存储器结构)及形成存储器结构的简单、具成本效益方法。

附图说明

图1到8(其包含图4A及4B)是根据本发明的实施例说明形成存储器结构的方法的透视图。

图9是根据本发明的实施例说明电子系统的示意框图。

具体实施方式