[发明专利]高通量化学气相沉积电极在审
| 申请号： | 201680026810.1 | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN107683345A | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | 穆恩·春 | 申请（专利权）人： | 太阳能公司 |
| 主分类号： | C23C16/01 | 分类号： | C23C16/01;C23C16/24;C30B13/00;C30B29/06;C30B35/00;C01B33/035;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 顾丽波,张娜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于制造可用作生长晶体硅材料直接原料的高通量、低成本管状多晶硅棒料的工艺和系统。在一个实例中，化学气相沉积(CVD)工艺包括在管状电极上沉积多晶硅以形成管状多晶硅棒料。所述管状多晶硅棒料可在浮区工艺中熔化以生长单晶硅材料。 | ||
| 搜索关键词： | 通量 化学 沉积 电极 | ||
【主权项】：
一种用于化学气相沉积多晶硅的电极，包括：芯管，其具有围绕腔的导电壁，其中所述腔在所述芯管的第一端和第二端之间延伸以运载液体冷却剂通过所述电极；以及围绕所述导电壁的阻挡膜，其中所述阻挡膜包括金属扩散阻挡材料。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
