[发明专利]高通量化学气相沉积电极

说明书

本专利申请要求于2016年5月2日提交的先前共同未决的美国非临时专利申请序列号15/144,469的优先权，该申请要求享有于2015年5月8日提交的先前共同未决的美国临时专利申请序列号62/159,159的优先权，其全部公开内容以引用方式并入本文。

背景技术

光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在半导体基板的表面附近形成p-n结，从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区，从而在掺杂区之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。

效率是太阳能电池的重要特性，因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样，制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此，提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍需要的。

通过使用高质量晶体硅基板制造太阳能电池，可以提高太阳能电池的效率。例如，使用单晶硅晶片制造的太阳能电池通常比使用多晶硅晶片制造的太阳能电池效率更高。光伏行业广泛采用切克劳斯基技术制造单晶基板，主要是因为目前这种方法相对较少采用的浮区技术更具成本效益。但是，浮区技术生产的的单晶基板比由切克劳斯基技术生产的单晶基板质量更高。因此，如果该工艺的成本效益得到改进，就可以成为生长单晶硅材料的优选方法。

附图说明

图1是根据一个实施例的沉积电极的透视图。

图2是沿图1A-A线截取的根据一个实施例的沉积电极的剖视图。

图3是根据一个实施例的沉积电极的透视图。

图4是沿图3B-B线截取的根据一个实施例的沉积电极的剖视图。

图5是根据一个实施例的沉积电极的透视图。

图6是根据一个实施例的晶体硅材料制造方法的流程图。

图7A-7D是根据一个实施例使用沉积电极形成的管状多晶硅棒料的剖视图。

图8是根据一个实施例使用浮区方法由管状多晶硅棒料形成的单晶硅材料的局部透视图。

图9是根据一个实施例的用于浮区工艺的RF盘的透视图。

具体实施方式

以下具体实施方式本质上只是例证性的，并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作示例、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其他实施是优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括提及“一个实施例”或“实施例”。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。

术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中术语的定义和/或语境：

“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除其他结构或步骤。

“配置为”。各个单元或部件可被描述或声明成“配置为”执行一项或多项任务。在这样的语境下，“配置为”用于通过指示该单元/部件包括在操作期间执行一项或多项任务的结构而暗示结构。因此，可以说是将单元/部件配置成即使当指定的单元/部件目前不在操作(例如，未开启/激活)时也可执行任务。详述某一单元/电路/部件“配置为”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/部件而言不援用35U.S.C.§112第六段。

“第一”、“第二”等。如本文所用，这些术语用作其之后的名词的标记，而并不暗示任何类型的顺序(例如，空间、时间和逻辑等)。例如，提及“第一”阻挡膜层并不一定暗示该阻挡膜层为某一序列中的第一个阻挡膜层；相反，术语“第一”用于区分该阻挡膜层与另一个阻挡膜层(例如，“第二”阻挡膜层)。

“耦接”以下描述可以指元件或节点或结构特征被“耦接”在一起。如本文所用，除非另外明确指明，否则“耦接”意指一个元件/节点/特征直接或间接连接至另一个元件/节点/特征(或直接或间接与其连通)，并且不一定是机械连接。