[发明专利]存储器单元、半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法

摘要

本发明提供半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法中，其中，将第一选择栅极(DG)和第二选择栅极(SG)沿着存储器栅极构造体(4)的侧壁以侧墙状形成，因此存储器栅极构造体(4)不会搭乘在第一选择栅极(DG)和第二选择栅极(SG)上，从而能够使存储器栅极构造体(4)、第一选择栅极构造体(5)及第二选择栅极构造体(6)的高度一致，相应地与现有技术相比能够实现小型化，另外，能够使第一选择栅极(DG)上的硅化物层(S1)、第二选择栅极(SG)上的硅化物层(S2)从储存器栅极(MG)疏远相当于盖膜(CP1)的膜厚度，因此相对于存储器栅极(MG)，第一选择栅极(DG)上和第二选择栅极(SG)上的硅化物层(S1、S2)难以接触，相应地能够防止存储器栅极(MG)的短路不良。

主权项

1.一种半导体集成电路装置，所述半导体集成电路装置具有存储器电路区域和周边电路区域，其特征在于，在所述存储器电路区域，设置有连接有位线和源极线的存储器单元以矩阵状配置的存储器单元区域，和存储器栅极连接器区域，所述存储器单元包括：漏极区域，形成在存储器阱表面，与所述位线连接；源极区域，形成在所述存储器阱表面，与所述源极线连接；存储器栅极构造体，形成在所述漏极区域与所述源极区域之间，并以下部存储器栅极绝缘膜、电荷存储层、上部存储器栅极绝缘膜、存储器栅极及由绝缘部件构成的盖膜的顺序层叠而形成在所述存储器阱上；第一选择栅极构造体，在所述漏极区域与所述存储器栅极构造体之间的所述存储器阱上夹着第一选择栅极绝缘膜形成有第一选择栅极，且与所述存储器栅极构造体的一侧壁夹着一侧壁隔板而邻接；及第二选择栅极构造体，在所述源极区域与所述存储器栅极构造体之间的所述存储器阱上夹着第二选择栅极绝缘膜形成有第二选择栅极，且与所述存储器栅极构造体的另一侧壁夹着另一侧壁隔板而邻接，所述第一选择栅极具有相对于所述一侧壁隔板以侧墙状形成且在其上表面部形成有硅化物层的结构，所述第二选择栅极具有相对于所述另一侧壁隔板以侧墙状形成且在其上表面部形成有硅化物层的结构，在所述存储器栅极连接器区域中，延伸设置有在所述存储器单元区域形成的所述存储器栅极，而没有延伸设置有所述第一选择栅极和所述第二选择栅极，在所述存储器栅极连接器区域中，在所述存储器栅极没有设置有所述盖膜，在所述存储器栅极上竖立设置有存储器栅极连接器。