[发明专利]半导体装置及电子设备有效
| 申请号： | 201680023158.8 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107534057B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 福留贵浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;刘春元 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方式的目的之一是提供一种开口率得到提高的半导体装置。此外，提供一种能够减少功耗的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：第一布线、第二布线、第三布线、第一驱动电路、第二驱动电路以及单元阵列，其中，单元阵列包括包含晶体管和存储电容器的多个单元。第一布线电连接于第一驱动电路，第二布线电连接于第二驱动电路，晶体管配置在第二布线的上方，第二布线在与晶体管重叠的区域中包括用作晶体管的第一栅电极的区域，第三布线配置在晶体管的上方并包括与第二布线重叠的区域，并且，第二布线在单元阵列的外侧的区域中与第三布线电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一布线；第二布线；第三布线；第一驱动电路；第二驱动电路；以及单元阵列，其中，所述单元阵列包括包含晶体管和存储电容器的多个单元，所述晶体管包括第一绝缘膜、氧化物半导体膜及第二绝缘膜，所述氧化物半导体膜包括隔着所述第一绝缘膜重叠于所述第二布线的区域和隔着所述第二绝缘膜重叠于所述第三布线的区域，所述第一布线电连接于所述第一驱动电路，所述第二布线电连接于所述第二驱动电路，所述晶体管配置在所述第二布线的上方，所述第二布线在与所述晶体管重叠的区域中包括用作所述晶体管的第一栅电极的区域，所述第三布线配置在所述晶体管的上方，所述第三布线在与所述晶体管重叠的区域中包括用作所述晶体管的第二栅电极的区域，所述第三布线包括与所述第二布线重叠的区域，并且，所述第二布线在所述单元阵列的外侧的区域中与所述第三布线电连接。
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