[发明专利]半导体装置及电子设备有效

专利信息
申请号: 201680023158.8 申请日: 2016-04-11
公开(公告)号: CN107534057B 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 福留贵浩 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;刘春元
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

第一驱动电路;

第二驱动电路;

电连接于所述第一驱动电路的第一布线;

电连接于所述第二驱动电路的第二布线;

第三布线;以及

包括多个单元的单元阵列,

其中,所述多个单元中的第一单元包括包含第一栅电极、氧化物半导体膜及第二栅电极的晶体管,

所述第二布线被用作所述第一栅电极,

所述第三布线被用作所述第二栅电极,

所述氧化物半导体膜配置在所述第二布线的上方,

所述第三布线配置在所述氧化物半导体膜的上方,

所述第二布线在所述单元阵列的外侧通过第一接触孔与所述第三布线电连接,

并且,所述第二布线在所述单元阵列的内侧通过第二接触孔与所述第三布线电连接。

2.一种半导体装置,包括:

第一驱动电路;

第二驱动电路;

第三驱动电路;

电连接于所述第一驱动电路的第一布线;

电连接于所述第二驱动电路和所述第三驱动电路中的一个的第二布线;

第三布线;以及

包括多个单元的单元阵列,所述单元阵列在所述第二驱动电路与所述第三驱动电路之间,

其中,所述多个单元中的第一单元包括包含第一栅电极、氧化物半导体膜及第二栅电极的晶体管,

所述第二布线被用作所述第一栅电极,

所述第三布线被用作所述第二栅电极,

所述氧化物半导体膜配置在所述第二布线的上方,

所述第三布线配置在所述氧化物半导体膜的上方,

所述第二布线在所述单元阵列的外侧通过第一接触孔与所述第三布线电连接,

并且,所述第二布线在所述单元阵列的内侧通过第二接触孔与所述第三布线电连接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,

其中所述第一接触孔在所述单元阵列与所述第二驱动电路之间的区域中。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,

其中所述区域中的所述第二布线的宽度比与所述单元阵列重叠的所述第二布线的宽度大。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,

其中所述第三布线的电阻为所述第二布线的电阻以下。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置,

其中所述第三布线包含铜。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置,

其中所述第一单元为像素,

并且所述单元阵列为像素部。

8.一种包括权利要求1或2所述的半导体装置的电子设备。

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