[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶以及Cu-Ga合金溅射靶的制造方法有效
| 申请号： | 201680017581.7 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107429384B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 吉田勇气;植田稔晃;森晓 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/14;C22C9/00;B22F1/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶由Cu‑Ga合金构成，碳浓度为30质量ppm以下，组织观察的结果如下：粒径10μm以下的晶粒所占的面积率在5％以上且50％以下的范围内，粒径100μm以上的晶粒所占的面积率在1％以上且30％以下的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Cu‑Ga合金溅射靶，其由Cu‑Ga合金构成，所述Cu‑Ga合金溅射靶的特征在于，碳浓度为30质量ppm以下，组织观察的结果如下：粒径10μm以下的晶粒所占的面积率在5％以上且50％以下的范围内，粒径100μm以上的晶粒所占的面积率在1％以上且30％以下的范围内。
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