[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶以及Cu-Ga合金溅射靶的制造方法有效
| 申请号： | 201680017581.7 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107429384B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 吉田勇气;植田稔晃;森晓 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/14;C22C9/00;B22F1/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 以及 制造 方法 | ||
1.一种Cu-Ga合金溅射靶，其由Cu-Ga合金构成，所述Cu-Ga合金溅射靶的特征在于，
碳浓度为30质量ppm以下，
组织观察的结果如下：粒径10μm以下的晶粒所占的面积率在5％以上且50％以下的范围内，粒径100μm以上的晶粒所占的面积率在1％以上且30％以下的范围内。
2.根据权利要求1所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，
平均晶粒直径为100μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，
氧浓度为150质量ppm以下。
4.一种Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，制造权利要求1至3中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶，
具有烧结原料粉末的烧结工序，
将所述原料粉末的碳浓度设为140质量ppm以下，并且将所述原料粉末中所含的粒径10μm以下的粒子的比例以体积比计设为5％以上且50％以下的范围内，将粒径100μm以上的粒子的比例以体积比计设为1％以上且30％以下的范围内，
在所述烧结工序中，通过通电加压烧结法烧结所述原料粉末。
5.根据权利要求4所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，
在所述烧结工序中，相对于构成所制造的Cu-Ga合金溅射靶的Cu-Ga合金的液相出现温度TL，将烧结温度TS设为0.5×TL≤TS≤TL的范围内，并且将保持时间设为0.5分钟以上且60分钟以下的范围内。
6.根据权利要求4所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，
在所述烧结工序中，将加压压力设为1MPa以上且100MPa以下的范围内。
7.根据权利要求5所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，
在所述烧结工序中，将加压压力设为1MPa以上且100MPa以下的范围内。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，
将所述原料粉末的平均粒径设为100μm以下。
9.根据权利要求4至7中任一项所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，
在所述烧结工序中，使用具备呈筒状的冲模和从该冲模的两端的开口部插入的冲头的成型模，向所述冲头通电，并且通过冲床赋予压力，
在所述冲头的周围的所述冲床与所述冲模的端面之间配设辅助通电部件。
10.根据权利要求8所述的Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其特征在于，
在所述烧结工序中，使用具备呈筒状的冲模和从该冲模的两端的开口部插入的冲头的成型模，向所述冲头通电，并且通过冲床赋予压力，
在所述冲头的周围的所述冲床与所述冲模的端面之间配设辅助通电部件。
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