[发明专利]用于清洁沉积设备的方法

摘要

易于从沉积设备的沉积空间构件中去除沉积残余物的方法，其中使用CVD、PECVD、ALD、PVD和蒸镀之一处理基材用于涂覆至少一层。在具有由沉积空间壁界定的沉积空间的沉积设备中进行至少一次沉积处理，以在所述沉积空间内的基材上涂覆层。所述沉积空间壁提供有涂层。所述沉积空间壁以选择性湿式蚀刻处理进行清洁。所述沉积空间壁涂层的组成物适应于在沉积处理期间沉积于所述沉积空间壁上的沉积残余物的组成物以及在选择性湿式蚀刻处理期间所使用的液体蚀刻剂的组成物，使得所述沉积残余物被去除而没有影响所述沉积空间壁。

主权项

用于从沉积设备的沉积空间构件中容易地去除沉积残余物的方法，其中使用CVD、PECVD、ALD、PVD和蒸镀之一处理基材用于涂覆至少一层，其中所述方法包括：‑提供具有沉积空间的沉积设备，所述沉积空间由涂布Ni或Cr涂层的沉积空间壁界定，所述Ni或Cr涂层以电镀或无电电镀方法涂覆；‑提供至少一种前体材料，将所述前体材料引入所述沉积空间中以在至少一个已经引入所述沉积空间中的基材上沉积层；‑进行至少一次沉积处理以在至少一个所述基材上涂覆所述层；‑在所述沉积处理后，以选择性湿式蚀刻处理清洁所述沉积空间壁，其中所述沉积空间壁以液体蚀刻剂进行处理，用于去除在所述沉积处理期间形成于所述沉积空间壁上的沉积残余物；其中所述沉积空间壁涂层的组成物适应于在所述沉积处理期间沉积于所述沉积空间壁上的所述沉积残余物的组成物、以及在所述选择性湿式蚀刻处理期间所使用的液体蚀刻剂的组成物，以使所述沉积残余物在没有影响所述沉积空间壁下被去除，其中所述Ni或Cr涂层的表面被处理以提供表面粗糙度(Ra)为至少1.5μm，优选为至少2.5μm以及更优选为至少3.2μm，其中以提供所述表面粗糙度的表面处理是HVOF涂布处理(高速氧燃料涂布)或HP‑HVOF涂布处理(高压高速氧燃料涂布)。