[发明专利]用于清洁沉积设备的方法

说明书

易于从沉积设备的沉积空间构件中去除沉积残余物的方法，其中使用CVD、PECVD、ALD、PVD和蒸镀之一处理基材用于涂覆至少一层。在具有由沉积空间壁界定的沉积空间的沉积设备中进行至少一次沉积处理，以在所述沉积空间内的基材上涂覆层。所述沉积空间壁提供有涂层。所述沉积空间壁以选择性湿式蚀刻处理进行清洁。所述沉积空间壁涂层的组成物适应于在沉积处理期间沉积于所述沉积空间壁上的沉积残余物的组成物以及在选择性湿式蚀刻处理期间所使用的液体蚀刻剂的组成物，使得所述沉积残余物被去除而没有影响所述沉积空间壁。

技术领域

本发明涉及一种层沉积的领域，更特别地涉及一种从沉积设备的沉积空间构件去除沉积残余物的领域。

背景技术

在沉积设备中，使用CVD(化学气相沉积)、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、ALD(原子层沉积)、PVD(物理气相沉积)及蒸镀(D.opdampen)在基材上沉积层在本领域中是已知的。在使用沉积设备进行沉积处理期间，在存在一或多个基材的沉积空间中引入前体材料。在处理期间，该前体材料的至少一部分沉积在基材上，在其上面形成一或数层。前体材料中的另一部分沉积在沉积空间构件诸如沉积空间壁上，在其上面形成沉积残余物。该沉积残余物可以对沉积于基材上的层的质量具有负面效应并且可能损害该沉积设备的操作。鉴于此，必需在已经进行多次沉积处理后从该沉积空间壁上去除沉积残余物。

已经由申请人测试的从阳极化的铝沉积空间壁去除沉积残余物的第一种方法为抛光该沉积空间壁，例如，使用红宝石或其它抛光工具立刻去除该沉积残余物。已经由申请人测试的第二种方法为湿式蚀刻处理，接着再阳极化经处理的铝壁的步骤。

二种方法的缺点为它们不具选择性。因此，不仅去除沉积残余物而且在下面的沉积空间壁也可能受到负面影响。例如，在该沉积空间壁上的阳极化层可能被该蚀刻处理或抛光处理去除。同样地，当使用抛光时，因为在这些毗连沉积空间壁上并无沉积残余物沉积，因此不需清洁的毗连沉积空间壁可能会受到损伤。例如，在申请人描述于例如EP-2 502265 A2的Levitrack^TM中，该沉积空间的侧壁可在抛光制程中受到损伤。此损伤使得该侧壁粗糙，这依次可以造成某些在轨道似的沉积空间中运送的晶圆在与侧壁碰撞后停止。因此，沉积设备的生产受中断，必需打开该沉积空间室，必需去除经碰撞的晶圆以及必需再次重新启动生产。这是高度不利的并且导致生产能力明显损失。

第二种方法的缺点为需要再阳极化经处理的铝壁的步骤的成本。

US 2006/0105182 A1公开了一种用于加工基材例如半导体晶圆及显示器的制程室。该制程室的构件例如壁可涂布有金属涂层，所述金属涂层包含对可以用于清洁构件的清洁溶液具有抗侵蚀性的材料。可以用于下层结构的材料的实例可以是金属材料，例如钛、不锈钢、铜、钽和铝。已提及作为涂层材料的实例为不锈钢、铜、镍、钽和钛。该涂层的表面可以用电子束处理以对金属涂层表面提供期望的纹理结构，例如期望的粗糙度。

发明内容

本发明的目的为提供一种具有成本效率能去除沉积残余物同时基本上防止沉积空间构件例如沉积空间壁损伤的方法。

为此目的，本发明提供一种容易地从沉积设备的沉积空间构件去除沉积残余物的方法，其中在该设备中使用CVD、PECVD、ALD、PVD和蒸镀之一处理基材用于涂覆至少一层，其中该方法包括：

-提供具有沉积空间的沉积设备，其中所述空间由涂布有Ni或Cr涂层的沉积空间壁界定，所述涂层已经使用电镀或无电电镀方法涂覆；

-提供至少一种前体材料，将其引入所述沉积空间中以在至少一个已经引入所述沉积空间中的基材上沉积层；

-进行至少一次沉积处理以在至少一个所述基材上涂覆所述层；

-在所述沉积处理后，以选择性湿式蚀刻处理清洁所述沉积空间壁，其中使用液体蚀刻剂处理所述沉积空间壁以去除在沉积处理期间在所述沉积空间壁上形成的沉积残余物；