[发明专利]太阳能电池用结晶硅基板的制造方法、结晶硅系太阳能电池的制造方法及结晶硅系太阳能电池模块的制造方法有效
申请号: | 201680015204.X | 申请日: | 2016-01-22 |
公开(公告)号: | CN107431099B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 宇都俊彦;末崎恭;吉田航 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0747 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 沈雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的在于,提供一种太阳能电池用的单晶硅基板。在本发明的方法中,使单晶硅基板的表面与碱溶液接触,在单晶硅基板的表面形成纹理,使单晶硅基板的表面与酸性溶液接触,实施酸处理,然后,使单晶硅基板的表面与臭氧水接触,实施臭氧处理。用于酸处理的酸性溶液为盐酸。优选通过将单晶硅基板浸渍于臭氧水浴而实施臭氧处理。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 结晶 硅基板 制造 方法 模块 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池用结晶硅基板的制造方法,其依次具有下述工序:各向异性蚀刻工序,其使单晶硅基板的表面与碱溶液接触,在所述单晶硅基板的表面形成纹理;酸处理工序,其使所述单晶硅基板的表面与盐酸接触;臭氧处理工序,其使所述单晶硅基板的表面与臭氧水接触;以及氧化膜除去工序,使所述单晶硅基板的表面与氢氟酸接触,不进行使纹理凹部圆形化的处理,所述臭氧处理工序后,所述单晶硅基板的所述纹理凹部的曲率半径小于5nm,所述氧化膜除去工序后,所述单晶硅基板的所述纹理凹部的曲率半径小于5nm。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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