[发明专利]太阳能电池用结晶硅基板的制造方法、结晶硅系太阳能电池的制造方法及结晶硅系太阳能电池模块的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池用结晶硅基板的制造方法，其依次具有下述工序：

各向异性蚀刻工序，其使单晶硅基板的表面与碱溶液接触，在所述单晶硅基板的表面形成纹理；

酸处理工序，其使所述单晶硅基板的表面与盐酸接触；

臭氧处理工序，其使所述单晶硅基板的表面与臭氧水接触；以及

氧化膜除去工序，使所述单晶硅基板的表面与氢氟酸接触，

不进行使纹理凹部圆形化的处理，

所述臭氧处理工序后，所述单晶硅基板的所述纹理凹部的曲率半径小于5nm，

所述氧化膜除去工序后，所述单晶硅基板的所述纹理凹部的曲率半径小于5nm。

2.如权利要求1所述的太阳能电池用结晶硅基板的制造方法，

在所述臭氧处理工序中，将所述单晶硅基板浸渍于臭氧水浴。

3.如权利要求2所述的太阳能电池用结晶硅基板的制造方法，

在所述臭氧处理工序中，通过将臭氧气体供给至臭氧水浴，调整所述臭氧水的浓度。

4.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池用结晶硅基板的制造方法，其中，

所述酸处理工序中的盐酸的浓度为1重量％～15重量％。

5.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池用结晶硅基板的制造方法，其中，

所述酸处理工序中的盐酸的温度为30℃～80℃。

6.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池用结晶硅基板的制造方法，其中，

所述臭氧处理工序后的所述单晶硅基板表面的纹理尺寸为0.1μm以上且小于5μm。

7.一种结晶硅系太阳能电池的制造方法，其具有下述步骤：

通过权利要求1～6中任一项所述的方法得到表面具有纹理的单晶硅基板的步骤；以及

在所述单晶硅基板的纹理形成面上制膜导电型非单晶硅系薄膜的步骤。

8.如权利要求7所述的结晶硅系太阳能电池的制造方法，其还具有在所述导电型非单晶硅系薄膜上制膜透明导电层的步骤。

9.如权利要求7或8所述的结晶硅系太阳能电池的制造方法，其还具有在所述单晶硅基板与所述导电型非单晶硅系薄膜之间制膜本征非单晶硅薄膜的步骤。

10.如权利要求9所述的结晶硅系太阳能电池的制造方法，其中，

在制膜所述本征非单晶硅薄膜的至少一部分之后、制膜所述导电型非单晶硅系薄膜之前，

在以氢气为主成分的气体氛围中，对所述本征非单晶硅薄膜实施等离子体处理。

11.一种结晶硅系太阳能电池模块的制造方法，其具有下述步骤：

通过权利要求7～10中任一项所述的方法制造太阳能电池的步骤；以及

连接多个所述太阳能电池并通过密封材料密封的步骤。