[发明专利]存储装置、方法及计算系统有效
| 申请号： | 201680010964.1 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN107430884B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | S·汤米施玛 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/4091;G11C11/4094;G11C11/4096;G11C5/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，诸如动态随机存取存储器的存储器在感测位单元的存储节点中的电荷电平之前采用对位单元的电荷提升。可以认为可以采用这样的布置以提高位单元读出电压、减少刷新功耗、提高恢复电压电平或其它特征，这取决于特定的应用。本文中描述了其它方面。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 方法 计算 系统 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：动态随机存取存储器(DRAM)单元的阵列，每个单元具有存储节点；以及耦合到所述DRAM单元的阵列的存储器控制器，所述存储器控制器包括被配置为感测和恢复所述阵列的DRAM单元的存储节点中的电荷电平的感测放大器，以及被配置为将电荷添加到所述单元的存储节点以提升所述单元的存储节点的电荷电平的电荷电平升压电路；其中，所述存储器控制器被配置为控制所述电荷电平升压电路在感测所述单元的存储节点的电荷电平之前发起向所述单元的存储节点添加电荷以提升所述单元的存储节点的电荷电平；并且其中，所述存储器控制器被配置为控制感测放大器在所述电荷添加被发起以便添加电荷以提升所述存储节点的电荷电平之后感测存储在所述单元中的经提升的电荷电平，并且根据被感测的经提升的电荷电平来恢复在所述单元中的电荷电平。
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