[发明专利]存储装置、方法及计算系统

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

动态随机存取存储器(DRAM)单元的阵列，每个单元具有存储节点；以及

耦合到所述DRAM单元的阵列的存储器控制器，所述存储器控制器包括被配置为感测和恢复所述阵列的DRAM单元的存储节点中的电荷电平的感测放大器，以及被配置为将电荷添加到所述单元的存储节点以提升所述单元的存储节点的电荷电平的电荷电平升压电路；

其中，所述存储器控制器被配置为控制所述电荷电平升压电路在感测所述单元的存储节点的电荷电平之前发起向所述单元的存储节点添加电荷以提升所述单元的存储节点的电荷电平；并且

其中，所述存储器控制器被配置为控制感测放大器在所述电荷添加被发起以便添加电荷以提升所述存储节点的电荷电平之后感测存储在所述单元中的经提升的电荷电平，并且根据被感测的经提升的电荷电平来恢复在所述单元中的电荷电平。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述存储器控制器被配置为周期性地刷新所述DRAM阵列的单元，包括控制所述电荷电平升压电路在所述感测放大器感测正在被刷新的所述单元的存储节点的经提升的电荷电平之前发起向所述单元的存储节点的所述电荷添加以提升正在被刷新的所述单元的存储节点的电荷电平，并且根据被感测的经提升的电荷电平来恢复正在被刷新的所述单元的电荷电平。

3.根据权利要求2所述的装置，进一步包括位线，其中，所述单元包括具有导通状态的单元开关晶体管，其被配置为在处于所述导通状态时将所述单元的存储节点电耦合到所述位线，并且其中，所述存储器控制器被配置为将单元开关晶体管转换至导通状态以便将所述单元的存储节点电耦合到所述位线以发起正在被刷新的所述单元的经提升的电荷电平感测。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述电荷电平升压电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管耦合到所述单元的存储节点并且被配置为当被使能时，提升所述单元的存储节点的电荷电平。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述电荷电平升压电路包括平板开关晶体管，并且其中，每个单元的所述存储节点包括存储电容器，所述存储电容器具有耦合到所述单元的单元开关晶体管的一个极板和耦合到所述平板开关晶体管的另一个极板，所述存储器控制器被配置为将所述平板开关晶体管转换至非导通状态使得所述单元的存储电容器在所述电荷添加的至少一部分期间处于电浮置。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述存储器控制器被配置为当所述平板开关晶体管处于非导通状态时使得所述驱动晶体管能够提升所述单元的存储节点的电荷电平。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，存储器控制器被配置为使得所述驱动晶体管能够在将所述单元开关晶体管转换至所述导通状态以发起所述电荷电平感测之前提升所述单元的存储节点的电荷电平。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述存储器控制器被配置为当所述驱动晶体管被使能时将所述单元开关晶体管转换至所述导通状态并且在将所述单元开关晶体管转换至所述非导通状态之前禁用所述驱动晶体管以便终止电荷提升。