[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法

摘要

本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备以[T1]/[X]的摩尔比为13.0以上作为主要特征的R1－T1－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd，且为65mol％以上95mol％以下，[Cu]/([Ga]+[Cu])以摩尔比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，并在450℃以上600℃以下的温度进行热处理的工序。

主权项

1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其中，R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd，T为过渡金属元素中的至少一种且必须包含Fe，B的一部分能够用C置换，所述制造方法的特征在于，包括：准备R1－T1－X系合金烧结体的工序，其中，R1为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd，R1－T1－X系合金烧结体所含的R1的比率为27mass％以上35mass％以下，T1为Fe或Fe和M，M为选自Ga、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo和Ag中的一种以上，X为B且B的一部分能够用C置换，[T1]/[X]的摩尔比为13.0以上；准备R2－Ga－Cu系合金的工序，其中，R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Pr和/或Nd，R2－Ga－Cu系合金所含的R2的比率为65mol％以上95mol％以下，[Cu]/([Ga]+[Cu])以摩尔比计为0.1以上0.9以下；和使所述R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与所述R1－T1－X系合金烧结体的表面的至少一部分接触之后，在真空或不活泼气体气氛中、在450℃以上600℃以下的温度进行热处理的工序。