[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法

权利要求书

1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其中，R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd，T为过渡金属元素中的至少一种且必须包含Fe，B的一部分能够用C置换，所述制造方法的特征在于，包括：

准备R1－T1－X系合金烧结体的工序，其中，R1为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd，R1－T1－X系合金烧结体所含的R1的比率为27mass％以上35mass％以下，T1为Fe或Fe和M，M为选自Ga、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo和Ag中的一种以上，X为B且B的一部分能够用C置换，[T1]/[X]的摩尔比为13.0以上；

准备R2－Ga－Cu系合金的工序，其中，R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Pr和/或Nd，R2－Ga－Cu系合金所含的R2的比率为65mol％以上95mol％以下，[Cu]/([Ga]+[Cu])以摩尔比计为0.1以上0.9以下；和

使所述R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与所述R1－T1－X系合金烧结体的表面的至少一部分接触之后，在真空或不活泼气体气氛中、在450℃以上600℃以下的温度进行热处理的工序。

2.如权利要求1所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述R1－T1－X的T1为Fe和M，M为选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo和Ag中的一种以上。

3.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

R1－T1－X系合金烧结体中的[T1]/[X]的摩尔比为13.6以上。

4.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

R1－T1－X系合金烧结体中的[T1]/[X]的摩尔比为14以上。

5.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

R1－T1－X系合金烧结体中的重稀土元素为1mass％以下。

6.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述准备R1－T1－X系合金烧结体的工序包括：将原料合金粉碎成1μm以上10μm以下之后，在磁场中进行成型、烧结的步骤。

7.如权利要求6所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述准备R1－T1－X系合金烧结体的工序包括：在所述烧结之后，在超过600℃且低于烧结温度的温度进行高温热处理的步骤。

8.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

R2－Ga－Cu系合金不含重稀土元素。

9.如权利要求8所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

R2－Ga－Cu系合金中的R2的50mol％以上为Pr。

10.如权利要求8所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

R2－Ga－Cu系合金中的R2仅由Pr构成，其中包含不可避免的杂质。

11.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

R2－Ga－Cu系合金中的R2的一部分为重稀土元素，所述重稀土元素的含量为所述R2－Ga－Cu系合金整体的10mol％以下。

12.如权利要求11所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

R2－Ga－Cu系合金中的R2的一部分为重稀土元素，所述重稀土元素的含量为所述R2－Ga－Cu系合金整体的5mol％以下。