[发明专利]制备有机卤代硅烷的方法在审
申请号: | 201680008741.1 | 申请日: | 2016-02-03 |
公开(公告)号: | CN107206355A | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | J·M·戈恩德隆 | 申请(专利权)人: | 美国道康宁公司 |
主分类号: | B01J21/06 | 分类号: | B01J21/06;B01J23/00;B01J21/02;B01J23/08;B01J21/18;C07F7/16;B01J23/14;C07F7/12 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人: | 徐舒 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了用于制备有机卤代硅烷的方法,该方法包括在大于100℃的温度和至少690kPa的压力下,在包含元素Sc、Y、Ti、Zr、Hf、B、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn或Pb中的一种或多种的氧化物的非均相催化剂的存在下,使包含卤素取代或未取代的烷烃、卤素取代或未取代的烯烃、或芳族化合物的有机化合物与式RnSiHmX4‑m‑n的至少一种氢化卤代硅烷反应,以产生包含有机卤代硅烷的粗反应产物,其中每个R独立地为C‑1‑C‑14烃基或C‑1‑C‑14卤素取代的烃基,X为氟、氯、溴或碘,n为0、1或2,m为1、2或3,并且m+n=1、2或3。 | ||
搜索关键词: | 制备 有机 硅烷 方法 | ||
【主权项】:
用于制备有机卤代硅烷的方法,所述方法包括:在大于100℃的温度和至少690kPa的压力下,在包含元素Sc、Y、Ti、Zr、Hf、B、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn或Pb中的一种或多种的氧化物的非均相催化剂的存在下,使包含卤素取代或未取代的烷烃、卤素取代或未取代的烯烃、或芳族化合物的有机化合物与式RnSiHmX4‑m‑n的至少一种氢化卤代硅烷反应,以产生包含有机卤代硅烷的粗反应产物,其中每个R独立地为C1‑C14烃基或C1‑C14卤素取代的烃基,X为氟、氯、溴或碘,n为0、1或2,m为1、2或3,并且m+n=1、2或3。
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