[发明专利]制备有机卤代硅烷的方法

权利要求书

1.用于制备有机卤代硅烷的方法，所述方法包括：

在100℃至300℃的温度和至少690kPa的压力下，在包含氧化铝、二氧化锆、或含有Al和B的氧化物的非均相催化剂的存在下，使包含卤素取代或未取代的烷烃、卤素取代或未取代的烯烃、或芳族化合物的有机化合物与式R_nSiH_mX_4-m-n的至少一种氢化卤代硅烷反应，以产生包含有机卤代硅烷的粗反应产物，其中每个R独立地为C₁-C₁₄烃基或C₁-C₁₄卤素取代的烃基，X为氟、氯、溴或碘，n为0、1或2，m为1、2或3，并且m+n＝1、2或3。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述非均相催化剂包括式Al₉B₂O₁₅或Al₄B₂O₉的氧化物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机卤代硅烷由式R’_pR_nSiH_mX_4-m-n-p表示，其中每个R’独立地为C₁-C₁₄取代或未取代的烃基，p为1或2，n为0、1或2，m为0、1或2，并且m+n+p＝1、2或3。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述有机化合物包含环己烷、辛烯、苯、甲苯、卤代苯、二卤代苯、萘或卤代萘。

5.根据权利要求1所述的方法，其中R、烷烃、烯烃和芳族化合物是未取代的。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述有机化合物包含苯。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述至少一种氢化卤代硅烷为三氯硅烷、二氯硅烷、甲基二氯硅烷或二甲基氯硅烷。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述制得的有机卤代硅烷为苯基三氯硅烷、二苯基二氯硅烷、苯基甲基二氯硅烷或苯基二甲基氯硅烷。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述氢化卤代硅烷为甲基二氯硅烷并且所述制得的有机卤代硅烷为苯基甲基二氯硅烷。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述非均相催化剂包含γ-氧化铝。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中压力为4000kPa至11000kPa。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述有机化合物与所述氢化卤代硅烷反应之前，用HCl处理所述非均相催化剂。