[发明专利]氧化物烧结体和包含该氧化物烧结体的溅射靶有效
| 申请号： | 201680007587.6 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN107428616B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 山口洋平;栗原敏也;角田浩二 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，挠曲强度为50MPa以上，体电阻为100mΩcm以下。本发明的课题在于提供一种在通过DC溅射进行成膜时能够减少靶破裂和粉粒产生、并且能够形成良好的薄膜的溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 包含 溅射 | ||
【主权项】：
一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，挠曲强度为50MPa以上，体电阻为100mΩcm以下。
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