[发明专利]氧化物烧结体和包含该氧化物烧结体的溅射靶有效
| 申请号： | 201680007587.6 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN107428616B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 山口洋平;栗原敏也;角田浩二 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 包含 溅射 | ||
【权利要求书】：
1.一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，In、Ga、Zn的原子数比满足以下的公式：
0.314≤In/(In+Ga+Zn)≤0.342
0.314≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.342
0.325≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.364；
挠曲强度为50MPa以上，体电阻为23mΩcm以上且100mΩcm以下，烧结体密度为6.26g/cm3以上。
2.如权利要求1所述的IGZO烧结体，其特征在于，平均晶粒尺寸为6μm～22μm。
3.一种平板或圆筒形的溅射靶，其包含权利要求1或2所述的IGZO烧结体。
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