[发明专利]用于铁电存储器中的数据感测的参考电压的设置

摘要

所描述的实例包含一种设置用于感测包含一晶体管一电容器1T‑1C类型的铁电随机存取存储器FRAM单元的集成电路中的数据状态的参考电压的方法。在电气测试操作中，将部分或全部所述FRAM单元编程到特定极化状态(32)。在那个数据状态的一或多个最差情况电气或环境条件下(34)，执行用于感测所述数据状态的所述参考电压的“什穆”操作(36)，以确定在读取时最弱单元未能返回正确数据时的参考电压限制(36)。接着，基于此参考电压限制(例如所述限制加/减公差)使用参考电压写入配置寄存器(40)。

主权项

一种设置包含一晶体管一电容器1T‑1C类型的铁电存储器单元的集成电路中的参考电压的方法，其包括：将多个所述铁电存储器单元编程到第一数据状态，所述第一数据状态对应于比第二数据状态更低的电容极化状态；在多个参考电压电平下迭代地读取所述多个经编程铁电存储器单元以识别对应于在读取时最弱存储器单元返回所述第二数据状态时的所述参考电压电平的第一参考电压限制；及在对应于所述第一参考电压限制的操作电平下配置所述集成电路以设置所述参考电压。