[发明专利]用于铁电存储器中的数据感测的参考电压的设置

权利要求书

1.一种设置包含一晶体管一电容器1T-1C类型的铁电存储器单元的集成电路中的参考电压的方法，其包括：

将多个所述铁电存储器单元编程到第一数据状态，所述第一数据状态对应于比第二数据状态更低的电容极化状态；

在多个参考电压电平下迭代地读取所述多个经编程铁电存储器单元以识别对应于在读取时最弱存储器单元返回所述第二数据状态时的所述参考电压电平的第一参考电压限制；其中迭代地读取包含：

在所有所述铁电存储器单元返回所述第一数据状态时的初始参考电压下读取所述多个铁电存储器单元，所述初始参考电压电平为所述多个参考电压电平的第一电压电平；

接着通过将所述初始参考电压递增地降低而在所述多个参考电压电平的剩余每一者下读取所述多个铁电存储器单元直到所述第一参考电压限制被识别；及

针对所述多个铁电存储器单元中的每一者在所述多个参考电压电平中的每一者下：

对所述铁电存储器单元进行存取；及

响应于所述存取而比较所述铁电存储器单元产生的电压与所述参考电压电平以确定所述铁电存储器单元是否返回所述第一数据状态或所述第二数据状态；及

在基于所述第一参考电压限制的操作电平下配置所述集成电路以设置所述参考电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述迭代读取之前，在用于读取所述第一数据状态的最差情况条件下设置电气参数。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述最差情况条件下设置所述电气参数包含：在对应于高电力供应器电压规格限制的电平下设置电力供应器电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述迭代读取之前，在用于读取所述第一数据状态的最差情况条件下设置所述集成电路的环境参数。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述最差情况条件下设置所述环境参数包含：将所述集成电路加热到对应于高温规格限制的温度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中存取包含将所述铁电存储器单元中的铁电电容器的第一板耦合到与所述铁电存储器单元相关联的位线；

其中响应于所述存取而将所述铁电存储器单元产生的所述电压提供于所述位线上；其中所述第一数据状态对应于所述铁电电容器到第一极化状态的极化，其中所述电容器在缺乏所施加的电压的情况下保留第一极性的电压；以及

其中存取进一步包含：

将电压脉冲施加到所述铁电电容器的第二板；及

在所述电压脉冲之后执行比较所述位线处的所述电压与所述参考电压电平。

7.根据权利要求1所述的方法，其中配置所述集成电路以设置所述参考电压包含：使用对应于所述操作电平的值写入配置寄存器的内容。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述操作电平等于所述第一参考电压限制加公差。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述集成电路是单个集成电路晶片中形成的多个集成电路中的一者；其中使用呈晶片形式的所述集成电路执行所述编程、迭代读取及配置步骤。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述集成电路是封装式集成电路。

11.根据权利要求6所述的方法，其中将所述铁电存储器单元中的所述铁电电容器的所述第一板耦合到与所述铁电存储器单元相关联的所述位线包含供应电压到与所述铁电存储器单元相关联的字线以激活耦合于所述位线与所述铁电电容器的所述第一板之间的晶体管。

12.根据权利要求1所述的方法，其中使用感测放大器以比较通过所述铁电存储器单元产生的所述电压与所述参考电压电平。