[发明专利]裂缝减少的III族氮化物块状晶体的种晶选择和生长方法在审
| 申请号： | 201680006774.2 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN107208305A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 桥本忠朗;艾德华·里特斯;达赖尔·凯 | 申请（专利权）人： | 希波特公司;首尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一种情况下，本发明提供使用种晶生长III族氮化物的块状晶体的方法，所述种晶是通过以下方式选择(a)在多于一个点测量种晶的x射线摇摆曲线，(b)量化所测量x射线摇摆曲线的峰宽度，和(c)评估所述量化峰宽度的分布。本发明也包括选择用于生长III族氮化物的块状晶体的种晶的方法。所述III族氮化物的块状晶体可使用至少一种通过上述方法选择的种晶在超临界氨或III族金属的熔融物中生长。 | ||
| 搜索关键词： | 裂缝 减少 iii 氮化物 块状 晶体 选择 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种生长III族氮化物的块状晶体的方法，所述III族氮化物具有Gax1Aly1In1‑x1‑y1N(0≤x1≤1，0≤x1+y1≤1)的组成，所述方法包含：(a)在多于一个点测量种晶的x射线摇摆曲线；(b)量化所述经测量x射线摇摆曲线的峰宽度；(c)比较所述量化峰宽度分布的测量值与可接受值；和(d)在具有量化峰宽度的所述分布的所述可接受值的所述种晶的面上生长单晶Gax1Aly1In1‑x1‑y1N以形成III族氮化物的所述块状晶体。
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