[发明专利]裂缝减少的III族氮化物块状晶体的种晶选择和生长方法

说明书

相关申请案的交叉参考

本申请案主张在2015年1月22日提出申请的标题为“用于裂缝减少的III族氮化物块状晶体的种晶选择和生长方法”(“Seed Selection and Growth Methods for Reduced-Crack Group III Nitride Bulk Crystals”)(发明人为桥本忠雄(Tadao Hashimoto)、爱德华莱特(Edward Letts)和达瑞尔凯(Daryl Key)，代理人案号SIXPOI-024USPRV1)的美国申请案第62/106,709号的优先权益，并且本申请案也与以下案件相关：

PCT实用新型专利申请案第US2005/024239号，其是在2005年7月8日由藤田健二(Kenji Fujito)、桥本忠雄和中村修二(Shuji Nakamura)提出申请，标题为“使用高压釜在超临界氨中生长III族氮化物的方法(METHOD FOR GROWING GROUP III-NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA USING AN AUTOCLAVE)”，代理人案号30794.0129-WO-01(2005-339-1)；

美国实用新型专利申请案第11/784,339号，其是在2007年4月6日由桥本忠雄、斋藤真(Makoto Saito)和中村修二提出申请，标题为“在超临界氨中生长大表面积氮化镓晶体的方法以及大表面积氮化镓晶体”(“METHOD FOR GROWING LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS”)，代理人案号30794.179-US-U1(2006-204)，所述申请案在35U.S.C.条款119(e)下主张在2006年4月7日由桥本忠雄、斋藤真和中村修二提出申请的标题为“在超临界氨中生长大表面积氮化镓晶体的方法以及大表面积氮化镓晶体”(“A METHOD FOR GROWING LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS”)的美国临时专利申请案第60/790,310号(代理人案号30794.179-US-P1(2006-204))的权益；

美国实用新型专利申请案第60/973,602号，其是在2007年9月19日由桥本忠雄和中村修二提出申请，标题为“氮化镓块状晶体和其生长方法”(“GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTALS AND THEIR GROWTH METHOD”)，代理人案号30794.244-US-P1(2007-809-1)；

美国实用新型专利申请案第11/977,661号，其是在2007年10月25日由桥本忠雄提出申请，标题为“在超临界氨与氮的混合物中生长III族氮化物晶体的方法以及由此生长的III族氮化物晶体”(“METHOD FOR GROWING GROUP III-NITRIDE CRYSTALS IN A MIXTURE OF SUPERCRITICAL AMMONIA AND NITROGEN,AND GROUP III-NITRIDE CRYSTALS GROWN THEREBY”)，现为美国专利第7,803,344号，代理人案号30794.253-US-U1(2007-774-2)；

美国实用新型专利申请案第61/067,117号，其是在2008年2月25日由桥本忠雄、爱德华莱特、正德碇(Masanori Ikari)提出申请，标题为“产生III族氮化物晶片的方法和III族氮化物晶片”(“METHOD FOR PRODUCING GROUP III-NITRIDE WAFERS AND GROUP III-NITRIDE WAFERS”)，现为美国专利第8,728,234号，代理人案号62158-30002.00或SIXPOI-003；