[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680004863.3 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107210322B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提高沟槽的内壁的绝缘膜的可靠性。提供一种半导体基板，该半导体装置具备：半导体基板、形成在半导体基板的正面的虚设沟槽部、以及形成在半导体基板的正面的上方的、含有金属的第1正面侧电极，虚设沟槽部具有：形成在半导体基板的正面的虚设沟槽、形成在虚设沟槽的内壁的绝缘膜、在虚设沟槽的内部与绝缘膜相比形成在内侧的虚设导电部、以及具有使虚设导电部的至少一部分露出的开口且在半导体基板的正面覆盖绝缘膜的保护部，第1正面侧电极具有形成在保护部的开口内的部分，并与虚设导电部接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；虚设沟槽部，其形成在所述半导体基板的正面；以及第1正面侧电极，其含有金属并形成在所述半导体基板的正面的上方，所述虚设沟槽部具有：虚设沟槽，其形成在所述半导体基板的正面；绝缘膜，其形成在所述虚设沟槽的内壁；虚设导电部，其在所述虚设沟槽的内部与所述绝缘膜相比形成在内侧；以及保护部，其具有使所述虚设导电部的至少一部分露出的开口，并且在所述半导体基板的正面覆盖所述绝缘膜，所述第1正面侧电极具有形成在所述保护部的所述开口内的部分，并且与所述虚设导电部接触。
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