[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

虚设沟槽部，其形成在所述半导体基板的正面；以及

第1正面侧电极，其含有金属并形成在所述半导体基板的正面的上方，

所述虚设沟槽部具有：

虚设沟槽，其形成在所述半导体基板的正面；

第一绝缘膜，其形成在所述虚设沟槽的内壁；

虚设导电部，其在所述虚设沟槽的内部与所述第一绝缘膜相比形成在内侧；以及

保护部，其具有使所述虚设导电部的至少一部分露出的开口，并且覆盖露出在所述半导体基板的正面的全部所述第一绝缘膜，

所述第1正面侧电极具有形成在所述保护部的所述开口内的部分，并且与所述虚设导电部接触，

所述虚设导电部的正面的边缘部分配置在与所述半导体基板的发射区的正面相比更深的位置，

所述保护部直接覆盖所述虚设导电部的正面的边缘部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备形成在所述半导体基板的正面的栅极沟槽部，

所述栅极沟槽部具有：

栅极沟槽，其形成在所述半导体基板的正面；

第二绝缘膜，其形成在所述栅极沟槽的内壁；

栅极导电部，其在所述栅极沟槽的内部与所述第二绝缘膜相比形成在内侧；以及

栅极绝缘部，其设置在所述栅极导电部的上方，并且使所述栅极导电部与所述第1正面侧电极绝缘。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极绝缘部设置为在所述半导体基板的正面覆盖所述栅极沟槽，

形成于所述保护部的开口的宽度小于彼此相邻而设置的所述保护部与所述栅极绝缘部的距离。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第1正面侧电极具有：

金属的虚设插塞部，其形成在所述保护部的所述开口内，与所述虚设导电部接触；以及

金属的电极部，其由与所述虚设插塞部的材料不同的材料构成，并且形成在所述虚设插塞部的上方。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述虚设插塞部含有钨。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第1正面侧电极还具备台面插塞部，所述台面插塞部以与所述虚设插塞部的材料相同的材料形成在所述保护部与所述栅极绝缘部之间，并与所述半导体基板的正面接触。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述虚设插塞部与所述台面插塞部相比在深度方向上更长。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述虚设沟槽部形成为在所述半导体基板的正面沿预先确定的延伸方向延伸，

所述栅极沟槽部具有：

对置部，其在与所述虚设沟槽部对置的范围内沿所述延伸方向延伸地形成；以及

突出部，其从所述对置部进一步延伸，并形成在不与所述虚设沟槽部对置的范围，

所述的半导体装置还具备形成在所述突出部的上方的第2正面侧电极，

所述突出部中的所述栅极导电部与所述第2正面侧电极电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述突出部的所述栅极绝缘部具有使所述栅极导电部露出的开口，

所述第2正面侧电极具有形成在所述栅极绝缘部的所述开口内且与所述栅极导电部接触的金属的栅极插塞部。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极插塞部由与所述虚设插塞部的材料相同的材料形成。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极插塞部与所述虚设插塞部在深度方向上具有相同的长度。