[发明专利]碳化硅的外延生长方法有效
| 申请号： | 201680003693.7 | 申请日： | 2016-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN107075728B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 伊藤涉;蓝乡崇;藤本辰雄 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/42;C23C16/452;C30B25/14;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在采用热CVD法进行的SiC薄膜的外延生长中能够提高掺杂密度的面内均匀性、并且使SiC薄膜以均匀的膜厚生长的方法。所述方法为碳化硅的外延生长方法，是将烃气体和硅原料气体以C/Si比成为0.5以上且1.5以下的范围的方式向碳化硅单晶基板上供给，采用热CVD法在1500℃以上且低于1800℃的温度下使其反应，从而在碳化硅单晶基板上形成碳化硅薄膜，其特征在于，使烃气体接触加热到1000℃以上且1200℃以下的烃分解催化剂，将烃气体的至少一部分分解为碳和氢后，向所述碳化硅单晶基板上供给。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅的外延生长方法，采用热CVD法使烃气体和硅原料气体反应，从而在碳化硅单晶基板上形成碳化硅薄膜，其特征在于，调整烃气体和硅原料气体的比率以使得C/Si比成为0.5以上且1.5以下的范围，使所述烃气体接触加热到1000℃以上且1200℃以下的烃分解催化剂，从而将所述烃气体的至少一部分分解为碳和氢，使所述烃气体中所含的碳和所述硅原料气体中所含的硅在1500℃以上且低于1800℃的温度下在所述碳化硅单晶基板上反应来生成碳化硅薄膜。
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