[发明专利]碳化硅的外延生长方法

权利要求书

1.一种碳化硅的外延生长方法，采用热CVD法使烃气体和硅原料气体反应，从而在碳化硅单晶基板上形成碳化硅薄膜，其特征在于，

以烃气体和硅原料气体混合而成的混合原料气体的状态使烃气体接触烃分解催化剂，

调整烃气体和硅原料气体的比率以使得C/Si比成为0.5以上且1.5以下的范围，

使所述烃气体接触加热到1000℃以上且1200℃以下的烃分解催化剂，从而将所述烃气体的至少一部分分解为碳和氢，

使所述烃气体中所含的碳和所述硅原料气体中所含的硅在1500℃以上且低于1800℃的温度下在所述碳化硅单晶基板上反应来生成碳化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的碳化硅的外延生长方法，其特征在于，所述烃气体的总量之中，被所述烃分解催化剂催化裂化的比例为50％以上。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅的外延生长方法，其特征在于，所述烃分解催化剂采用选自钌、铑、钯、铂、铜、钛、锆和铪之中的至少一种金属、或由这些金属元素之中的至少两种元素构成的合金构成。

4.根据权利要求1或2所述的碳化硅的外延生长方法，其特征在于，所述烃分解催化剂具备与烃气体接触的板状的接触面。

5.根据权利要求1或2所述的碳化硅的外延生长方法，其特征在于，在所述碳化硅单晶基板上形成的碳化硅薄膜的膜厚为3μm以上且100μm以下。

6.根据权利要求1或2所述的碳化硅的外延生长方法，其特征在于，烃气体为选自甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、乙烯和乙炔之中的一种以上。

7.根据权利要求1或2所述的碳化硅的外延生长方法，其特征在于，硅原料气体为选自硅烷、乙硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷和四氯化硅之中的一种以上。