[实用新型]一种IMD可靠性测试结构有效

专利信息
申请号: 201621492914.5 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN206332008U 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 朱月芹;宋永梁;张沥文 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 王华英
地址: 100176 北京市大兴*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种IMD可靠性测试结构,包括衬底和位于衬底中的N阱区和P阱区;条状栅极结构,包括栅氧化层及多晶硅层,栅氧化层位于有源区表面,多晶硅层覆盖于栅氧化层表面;层间介质层,覆盖于多晶硅层表面;第一金属线层,形成于层间介质层内;金属层间介质层,覆盖于第一金属线层表面;第二金属线层,形成于金属层间介质层内;第一金属连线和第二金属连线分别连接第一金属线层和第二金属线层;第三金属连线位于第一金属连线与第二金属连线之间,且与二者交错设置;第一金属连线与第二金属连线均为梳齿状结构,且投影相重叠,第三金属连线为蛇形结构。本实用新型可防止测试焊盘底端泄漏问题,达到有效评估金属层间介质层可靠性的目的。
搜索关键词: 一种 imd 可靠性 测试 结构
【主权项】:
一种IMD可靠性测试结构,其特征在于,包括:衬底;N阱区和P阱区,所述N阱区和所述P阱区均位于所述衬底中,且所述N阱区位于所述P阱区的两侧并由所述衬底隔离;多个有源区,位于所述N阱区及所述P阱区内;条状栅极结构,所述栅极结构包括栅氧化层及多晶硅层,所述栅氧化层位于所述有源区表面,所述多晶硅层覆盖于所述栅氧化层表面;层间介质层,覆盖于所述多晶硅层表面;第一金属线层,形成于所述层间介质层内;金属层间介质层,覆盖于所述第一金属线层表面;第二金属线层,形成于所述金属层间介质层内;第一金属连线,连接所述第一金属线层;第二金属连线,连接所述第二金属线层;第三金属连线,位于所述第一金属连线与所述第二金属连线之间,且与所述第一金属连线、所述第二金属连线交错设置;其中,所述第一金属连线与所述第二金属连线均为梳齿状结构,且投影相重叠;所述第三金属连线为蛇形结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621492914.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top