[实用新型]一种IMD可靠性测试结构有效
申请号: | 201621492914.5 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN206332008U | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 朱月芹;宋永梁;张沥文 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种IMD可靠性测试结构,包括衬底和位于衬底中的N阱区和P阱区;条状栅极结构,包括栅氧化层及多晶硅层,栅氧化层位于有源区表面,多晶硅层覆盖于栅氧化层表面;层间介质层,覆盖于多晶硅层表面;第一金属线层,形成于层间介质层内;金属层间介质层,覆盖于第一金属线层表面;第二金属线层,形成于金属层间介质层内;第一金属连线和第二金属连线分别连接第一金属线层和第二金属线层;第三金属连线位于第一金属连线与第二金属连线之间,且与二者交错设置;第一金属连线与第二金属连线均为梳齿状结构,且投影相重叠,第三金属连线为蛇形结构。本实用新型可防止测试焊盘底端泄漏问题,达到有效评估金属层间介质层可靠性的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 imd 可靠性 测试 结构 | ||
【主权项】:
一种IMD可靠性测试结构,其特征在于,包括:衬底;N阱区和P阱区,所述N阱区和所述P阱区均位于所述衬底中,且所述N阱区位于所述P阱区的两侧并由所述衬底隔离;多个有源区,位于所述N阱区及所述P阱区内;条状栅极结构,所述栅极结构包括栅氧化层及多晶硅层,所述栅氧化层位于所述有源区表面,所述多晶硅层覆盖于所述栅氧化层表面;层间介质层,覆盖于所述多晶硅层表面;第一金属线层,形成于所述层间介质层内;金属层间介质层,覆盖于所述第一金属线层表面;第二金属线层,形成于所述金属层间介质层内;第一金属连线,连接所述第一金属线层;第二金属连线,连接所述第二金属线层;第三金属连线,位于所述第一金属连线与所述第二金属连线之间,且与所述第一金属连线、所述第二金属连线交错设置;其中,所述第一金属连线与所述第二金属连线均为梳齿状结构,且投影相重叠;所述第三金属连线为蛇形结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造