[实用新型]一种气体喷头以及等离子体处理设备有效

专利信息
申请号: 201621488726.5 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN206432235U 公开(公告)日: 2017-08-22
发明(设计)人: 王伟军;顾晓冬 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,陈慧弘
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型揭示一种气体喷头以及等离子体处理设备。所述气体喷头具有一中心,所述气体喷头包括至少两个相对所述中心对称设置且互不连通的喷淋区;其中,每个所述喷淋区内设有多个喷嘴,且每个所述喷淋区还包括中心子喷淋区,靠近所述中心设置;以及边缘子喷淋区,远离所述中心设置。该气体喷头可以通过调节局部区域的气体流量,以此调节通入等离子体处理腔室内的反应气体分布,提高半导体制程工艺的可调节性及灵活性并且改善半导体制程工艺的均匀性。
搜索关键词: 一种 气体 喷头 以及 等离子体 处理 设备
【主权项】:
一种气体喷头,其特征在于,所述气体喷头具有一中心,所述气体喷头包括至少两个相对所述中心对称设置且互不连通的喷淋区;其中,每个所述喷淋区内设有多个喷嘴,且每个所述喷淋区还包括:中心子喷淋区,靠近所述中心设置;以及边缘子喷淋区,远离所述中心设置。
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