[实用新型]一种钛菁铜忆阻器有效
| 申请号： | 201621465921.6 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN206628501U | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 仪明东;朱颖;解令海;王来源;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 李湘群 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种钛菁铜忆阻器，属于有机电子和信息技术领域。该忆阻器包含第一电极、第二电极和介于两电极之间的阻变层，其中阻变层以钛菁铜作为活性层，还可以包括MoO3的缓冲层。本实用新型的忆阻器属于电荷捕获/释放型机制，对比电化学还原金属丝型机制忆阻器，具有明显的器件产率高、输出可重复性好、性能稳定以及抗饱和能力强等优势，还表现出有机忆阻器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钛菁铜忆阻器 | ||
【主权项】：
一种钛菁铜忆阻器，包含第一电极、第二电极和介于两电极之间的阻变层，其特征在于，所述阻变层为钛菁铜活性层。
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