[实用新型]一种钛菁铜忆阻器有效
| 申请号： | 201621465921.6 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN206628501U | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 仪明东;朱颖;解令海;王来源;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 李湘群 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钛菁铜忆阻器 | ||
【权利要求书】：
1.一种钛菁铜忆阻器，包含第一电极、第二电极和介于两电极之间的阻变层，其特征在于，所述阻变层为钛菁铜活性层。
2.根据权利要求1所述的钛菁铜忆阻器，其特征在于，所述钛菁铜忆阻器还包括MoO3的缓冲层。
3.根据权利要求1所述的钛菁铜忆阻器，其特征在于，所述第一电极和第二电极为氧化铟锡(ITO)、铝、钼、铌、铜、金、钯、铂、钽、钌、氧化钌、银、氮化钽、氮化钛、钨和氮化钨中的一种。
4.根据权利要求1所述的钛菁铜忆阻器，其特征在于，所述阻变层为单层，双层或多层结构中的一种。
5.根据权利要求1所述的钛菁铜忆阻器，其特征在于，所述忆阻器结构为交叉结构、垂直结构、水平结构和通孔结构中的一种。
6.根据权利要求1所述的钛菁铜忆阻器，其特征在于，所述钛菁铜活性层是由钛菁铜小分子、钛菁铜高分子和含钛菁铜的纳米材料分子中的一种组成。
7.根据权利要求6所述的钛菁铜忆阻器，其特征在于，所述钛菁铜活性层厚度为50nm。
8.根据权利要求7所述的钛菁铜忆阻器，其特征在于，所述钛菁铜活性层上面有一层100～500nm厚的铝电极。
9.根据权利要求1-8任一项所述的钛菁铜忆阻器，其特征在于：所述钛菁铜忆阻器属于电荷捕获/释放型机制型忆阻器，器件伏安曲线呈明显的“8”字形回滞特征。
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