[实用新型]半导体器件和非易失性存储器有效
| 申请号： | 201621453065.2 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN206163529U | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | F·拉罗萨;S·尼埃尔;A·雷尼耶 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（鲁塞）公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体器件和非易失性存储器。二极管阵列包括在第一方向上按列并且在与第一方向正交的第二方向上按行设置的二极管矩阵层面。所述二极管包括第一导电类型的阴极区域和第二导电类型的阳极区域，所述阴极区域和阳极区域重叠并且设置在位于半导体衬底的顶部上的绝缘层上。根据本申请的方案，可以最小化二极管选择器阵列所占据的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底的顶部上的绝缘层；以及在第一方向上按列并且在与所述第一方向正交的第二方向上按行设置的二极管阵列，每个二极管包括第一导电类型的阴极区域和第二导电类型的阳极区域，所述阴极区域和所述阳极区域彼此重叠并且设置于所述绝缘层上，使得所述绝缘层将所述二极管与所述半导体衬底绝缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体（鲁塞）公司，未经意法半导体（鲁塞）公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621453065.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
