[实用新型]一种测试结构有效

专利信息
申请号: 201621424683.4 申请日: 2016-12-22
公开(公告)号: CN206282852U 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 王贵明 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 王华英
地址: 100176 北京市大兴*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提供一种测试结构,至少包括有源区、多晶硅层、接触插塞和四条测试链;测试链包括多个串联的测试单元,测试单元包括上金属层、下金属层以及连接上金属层和下金属层之间的金属插塞,上金属层的两端均通过金属插塞分别与前一个测试单元下金属层的后端以及后一个测试单元下金属层的前端相连,形成链式结构;两条测试链的下金属层分别通过接触插塞与不同掺杂类型的有源区连接;一条测试链的下金属层通过接触插塞与多晶硅层连接;且四条测试链的首端分别连接一测试焊盘,尾端共同连接一测试焊盘。本测试结构能够监视后段互连工艺中的电流效应的发生,检测存在的薄弱点;节约产品良率分析时间;应用范围广,适于各种技术节点的工艺。
搜索关键词: 一种 测试 结构
【主权项】:
一种测试结构,用于后段互连工艺中的电流效应监视,其特征在于,至少包括有源区、多晶硅层、接触插塞和四条测试链;所述测试链包括多个串联的测试单元,所述测试单元至少包括上金属层、下金属层以及连接所述上金属层和所述下金属层之间的金属插塞,其中,所述上金属层的前端通过所述金属插塞与前一个所述测试单元的下金属层的后端相连,所述上金属层的后端通过所述金属插塞与后一个所述测试单元的下金属层的前端相连,形成链式结构;在四条所述测试链中,有两条所述测试链的下金属层分别通过所述接触插塞与不同掺杂类型的有源区连接;有一条所述测试链的下金属层通过所述接触插塞与所述多晶硅层连接;且四条所述测试链的首端分别连接一测试焊盘,四条所述测试链的尾端共同连接一测试焊盘。
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