[实用新型]一种测试结构有效
| 申请号： | 201621424683.4 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN206282852U | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王贵明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测试 结构 | ||
1.一种测试结构，用于后段互连工艺中的电流效应监视，其特征在于，至少包括有源区、多晶硅层、接触插塞和四条测试链；
所述测试链包括多个串联的测试单元，所述测试单元至少包括上金属层、下金属层以及连接所述上金属层和所述下金属层之间的金属插塞，其中，所述上金属层的前端通过所述金属插塞与前一个所述测试单元的下金属层的后端相连，所述上金属层的后端通过所述金属插塞与后一个所述测试单元的下金属层的前端相连，形成链式结构；
在四条所述测试链中，有两条所述测试链的下金属层分别通过所述接触插塞与不同掺杂类型的有源区连接；有一条所述测试链的下金属层通过所述接触插塞与所述多晶硅层连接；且四条所述测试链的首端分别连接一测试焊盘，四条所述测试链的尾端共同连接一测试焊盘。
2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，四条所述测试链中的金属插塞的尺寸和数量相同，四条所述测试链中的上金属层的尺寸和数量、下金属层的尺寸和数量均相同。
3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述有源区为N型掺杂或P型掺杂。
4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括根据设计规则填充的若干虚拟金属层。
5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述上金属层的前端通过一个或两个所述金属插塞与前一个所述测试单元的下金属层的后端相连，所述上金属层的后端通过一个或两个所述金属插塞与后一个所述测试单元的下金属层的前端相连。
6.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试单元包括交替层叠的多个所述上金属层和多个所述下金属层。
7.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述的测试结构的特征尺寸不小于40um×100um。
8.根据权利要求1-7任一项所述的测试结构，其特征在于，还包括用于隔离所述多晶硅层与所述下金属层以及隔离所述下金属层与所述上金属层的层间介质层。
9.根据权利要求1-7任一项所述的测试结构，其特征在于，所述后段互连工艺节点包括65nm、55nm、40nm和28nm中的任一种。
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