[实用新型]一种前端抗浪涌电路

摘要

本实用新型涉及一种前端抗浪涌电路，包括电源稳压单元、高压浪涌抑制电路、BOOST升压控制电路、输入电压采样单元、MOSFET功率管Q1、MOSFET功率管Q2和MOSFET功率管Q3，MOSFET功率管Q1的栅极经电阻R1与高压浪涌抑制电路相连，MOSFE功率管Q1的漏极与电源稳压单元的输入端相连，MOSFET功率管Q1的源极依次经采样电阻R2、电感L1与MOSFET功率管Q2的源极相连，MOSFET功率管Q2的栅极经电阻R4与BOOST升压控制电路的控制端相连，MOSFET功率管Q3的栅极经电阻R5与BOOST升压控制电路的控制端相连，MOSFET功率管Q3的漏极与MOSFET功率管Q2的漏极相连。本实用新型可以有效控制浪涌电压波形，减少对负载的冲击影响，避免过大的浪涌电压和过长的浪涌持续时间产生过大的浪涌电流损坏整机系统电源系统。

主权项

一种前端抗浪涌电路，其特征在于：包括电源稳压单元、高压浪涌抑制电路、BOOST升压控制电路、输入电压采样单元、MOSFET功率管Q1、MOSFET功率管Q2和MOSFET功率管Q3，所述电源稳压单元的输入端为输入电源信号端，其输出端与高压浪涌抑制电路相连，所述输入电压采样单元的输入端与高压浪涌抑制电路相连， MOSFET功率管Q1的栅极经电阻R1与高压浪涌抑制电路相连，MOSFET功率管Q1的漏极与电源稳压单元的输入端相连，MOSFET功率管Q1的源极依次经采样电阻R2、电感L1与MOSFET功率管Q2的源极相连，MOSFET功率管Q2的栅极经电阻R4与BOOST升压控制电路的控制端相连，MOSFET功率管Q2的漏极为输出信号端，MOSFET功率管Q3的栅极经电阻R5与 BOOST升压控制电路的控制端相连，MOSFET功率管Q3的漏极与MOSFET功率管Q2的漏极相连，MOSFET功率管Q3的源极接地。