[实用新型]一种前端抗浪涌电路

权利要求书

1.一种前端抗浪涌电路，其特征在于：包括电源稳压单元、高压浪涌抑制电路、BOOST升压控制电路、输入电压采样单元、MOSFET功率管Q1、MOSFET功率管Q2和MOSFET功率管Q3，所述电源稳压单元的输入端为输入电源信号端，其输出端与高压浪涌抑制电路相连，所述输入电压采样单元的输入端与高压浪涌抑制电路相连， MOSFET功率管Q1的栅极经电阻R1与高压浪涌抑制电路相连，MOSFET功率管Q1的漏极与电源稳压单元的输入端相连，MOSFET功率管Q1的源极依次经采样电阻R2、电感L1与MOSFET功率管Q2的源极相连，MOSFET功率管Q2的栅极经电阻R4与BOOST升压控制电路的控制端相连，MOSFET功率管Q2的漏极为输出信号端，MOSFET功率管Q3的栅极经电阻R5与 BOOST升压控制电路的控制端相连，MOSFET功率管Q3的漏极与MOSFET功率管Q2的漏极相连，MOSFET功率管Q3的源极接地。

2.根据权利要求1所述的前端抗浪涌电路，其特征在于：还包括第一输出采样单元和第二输出采样单元，所述第一输出采样单元用于调节高压浪涌抑制电路的输出电压，第二输出采样单元用于调节BOOST升压控制电路的输出电压。

3.根据权利要求2所述的前端抗浪涌电路，其特征在于：所述第一输出采样单元包括两串联的电阻R6和电阻R7，所述电阻R6的另一端与MOSFET功率管Q1的源极相连，所述电阻R7的另一端接地，电阻R6和电阻R7之间的节点与高压浪涌抑制电路相连。

4.根据权利要求2所述的前端抗浪涌电路，其特征在于：所述第二输出采样单元包括两串联的电阻R8和电阻R9，所述电阻R8的一端与MOSFET功率管Q3的漏极相连，电阻R9的另一端接地，电阻R8和电阻R9之间的节点与BOOST升压控制电路相连。

5.根据权利要求1所述的前端抗浪涌电路，其特征在于：所述高压浪涌抑制电路采用型号为LT4363的芯片。

6.根据权利要求1所述的前端抗浪涌电路，其特征在于：所述BOOST升压控制电路采用型号为LTC3763的芯片。

7.根据权利要求1所述的前端抗浪涌电路，其特征在于：所述电源稳压单元包括电阻R10、电阻R11、二极管D1、二极管D2和三极管V1，所述电阻R10的一端为输入电源信号端，其另一端与三极管V1的基极相连，所述二极管D1的阴极与三极管V1的基极相连，其阳极接地，三极管V1的发射极经电阻R11与二极管D2的阴极相连，二极管D2的阳极接地，三极管V1的集电极与MOSFET功率管Q1的漏极相连，三极管V1的发射极及二极管D2的阴极分别与高压浪涌抑制电路相连。

8.根据权利要求1所述的前端抗浪涌电路，其特征在于：所述输入电压采样单元包括两串联的电阻R12和电阻R13，电阻R12的另一端与MOSFET功率管Q1的漏极相连，电阻R13的另一端接地，电阻R12和电阻R13之间的节点与高压浪涌抑制电路相连。