[实用新型]半导体测试结构

摘要

本实用新型提供一种半导体测试结构包括衬底；若干个条状多晶硅结构，位于衬底表面，呈平行间隔分布；第一金属层，位于多晶硅结构上方，包括若干个呈平行间隔分布的第一金属条，第一金属条横跨多晶硅结构；第一连接通孔，位于第一金属条与衬底之间；第二金属层，包括第二金属条及第三金属条；第二金属条位于第一金属条一侧，并横跨多晶硅结构；第三金属条位于多晶硅结构一侧，并横跨第一金属条；第二连接通孔，位于第一金属条与第三金属条之间；连接通孔组件，位于第二金属条与多晶硅结构之间。通过上述方案的实施，克服了在进行CT到多晶硅结构间部分测试时，失效点定位不准，失效分析的效率以及成功率低的问题，同时不改变原有的测试功能。

主权项

一种测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：衬底；若干个条状多晶硅结构，位于所述衬底表面，呈平行间隔分布；第一金属层，位于所述多晶硅结构上方，包括若干个呈平行间隔分布的第一金属条，所述第一金属条横跨所述多晶硅结构；第一连接通孔，位于所述第一金属条与所述衬底之间，所述第一连接通孔的一端与所述衬底相连接，另一端与所述第一金属条相连接；第二金属层，包括第二金属条及第三金属条；所述第二金属条位于平行间隔分布的所述第一金属条一侧，且位于所述多晶硅结构上方，并横跨平行间隔分布的所述多晶硅结构；所述第三金属条位于平行间隔分布的所述多晶硅结构一侧，且位于所述第一金属条上方，并横跨平行间隔分布的所述第一金属条；第二连接通孔，位于所述第一金属条与所述第三金属条之间，所述第二连接通孔一端与所述第一金属条相连接，另一端与所述第三金属条相连接；连接通孔组件，位于所述第二金属条与所述多晶硅结构之间，连接所述第二金属条与所述多晶硅结构。