[实用新型]一种叠合引线框架修正治具有效

专利信息
申请号: 201621267850.9 申请日: 2016-11-23
公开(公告)号: CN206250155U 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 刘思勇 申请(专利权)人: 杰群电子科技(东莞)有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 张海英,林波
地址: 523750 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种叠合引线框架修正治具,包括下压件、垫块,在下压件和垫块之间设置有叠合引线框架,叠合引线框架包括依次叠加的铜桥框架、芯片和引线框架,引线框架沿宽度方向设置有两条平行的半蚀刻区域,且引线框架在半蚀刻区域之间的结构向铜桥框架凹陷,垫块的上表面的中部向内凹陷形成凹陷区,凹陷区的宽度大于两条半蚀刻区域的距离,小于引线框架的宽度;使用时,引线框架放置于垫块的上表面,引线框架的两端位于凹陷区外,两条半蚀刻区域均位于凹陷区内,下压件下压铜桥框架,使得引线框架在半蚀刻区域之间的结构向凹陷区凸出。修正后的引线框架在塑封时与下模的上表面之间不再有空隙,避免溢胶导致产品报废。
搜索关键词: 一种 叠合 引线 框架 修正
【主权项】:
一种叠合引线框架修正治具,其特征在于,包括下压件(1)、垫块(2),在所述下压件(1)和所述垫块(2)之间设置有叠合引线框架(3),所述叠合引线框架(3)包括依次叠加的铜桥框架(33)、芯片(32)和引线框架(31),所述引线框架(33)沿宽度方向设置有两条平行的半蚀刻区域(311),且所述引线框架(31)在半蚀刻区域(311)之间的结构向所述铜桥框架(33)凹陷,所述下压件(1)可向下靠近或向上远离所述垫块(2),所述垫块(2)的上表面的中部向内凹陷形成凹陷区(21),所述凹陷区(21)的宽度大于两条所述半蚀刻区域(311)的距离,小于所述引线框架(31)的宽度;使用时,所述引线框架(31)放置于所述垫块(2)的上表面,所述引线框架(31)的两端位于所述凹陷区(21)外,两条所述半蚀刻区域(311)均位于所述凹陷区(21)内,所述下压件(1)下压所述铜桥框架(33),使得所述引线框架(31)在半蚀刻区域(311)之间的结构向所述凹陷区(21)凸出。
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